Версия для печати
Технические характеристики BAR43AFILM

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1V @ 100mA
Current - Reverse Leakage @ Vr	500nA @ 30V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	100mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	30V
Reverse Recovery Time (trr)	5ns
Diode Type	Schottky
Скорость	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Diode Configuration	1 Pair Common Anode
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1206 1М 5%
		1206 1М 5%			EVER OHMS
		2512-120K 5%					2.80
		2512-47K 5%		ЧИП — резистор			2.80
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		359	12.88
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	540	12.49
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	СВЕТЛАНА
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	РИГА
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	6 916	12.72
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ПРОХЛАДНЫЙ
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	НАЛЬЧИК
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	АЛЕКСАНДРОВ	1 880	8.48
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ ЭЛ	8	4.80
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	1728
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	2400
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	2884
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	4344
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	10
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный			20.40
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК	7 367	38.16
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР МИНСК
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЗПП МИНСК
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	1154
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2000
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2276
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2380
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	3398

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"