AL-314B5CСИНИЙ
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
ГД507А |
|
Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА |
|
4.80 | ||
|
|
|
ГД507А |
|
Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА | ЭЛЕКС |
|
|
|
| КН102Д | 20 | 113.40 | ||||||
| КН102Д | ТОМИЛИНО |
|
|
|||||
 |
|
КН102Ж |
|
Тиристор кремниевый диффузионный, структуры p-n-p-n, диодный | 1 | 185.98 | ||
|
|
|
КН102Ж |
|
Тиристор кремниевый диффузионный, структуры p-n-p-n, диодный | ТОМИЛИНО |
|
|
|
| КН102И | 6 | 136.08 | ||||||
| КН102И | ТОМИЛИНО | 24 | 106.00 | |||||
| КН102И | ИЗОТОП |
|
|
|||||
 |
|
КТ368Б |
|
Транзистор эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный |
|
95.04 | ||
|
|
|
КТ368Б |
|
Транзистор эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | СВЕТЛАНА |
|
|
|
|
|
|
КТ368Б |
|
Транзистор эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ДАЛЕКС |
|
|
|
|
|
|
КТ368Б |
|
Транзистор эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | РИГА |
|
|
