|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ADM660ARZ |
|
Инвертирующий преобр.напряж 1.5-7В, 100мА, -40..+85
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADM660ARZ |
|
Инвертирующий преобр.напряж 1.5-7В, 100мА, -40..+85
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
ADM660ARZ |
|
Инвертирующий преобр.напряж 1.5-7В, 100мА, -40..+85
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
ADM660ARZ |
|
Инвертирующий преобр.напряж 1.5-7В, 100мА, -40..+85
|
ИРЛАНДИЯ
|
|
|
|
|
|
ADM660ARZ |
|
Инвертирующий преобр.напряж 1.5-7В, 100мА, -40..+85
|
|
1
|
203.50
|
|
|
|
ADM660ARZ |
|
Инвертирующий преобр.напряж 1.5-7В, 100мА, -40..+85
|
AD1
|
|
|
|
|
|
ADM660ARZ |
|
Инвертирующий преобр.напряж 1.5-7В, 100мА, -40..+85
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
ADM660ARZ |
|
Инвертирующий преобр.напряж 1.5-7В, 100мА, -40..+85
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
339
|
|
|
|
|
AT45DB642D-TU |
|
Память DataFlash (64 MBit, serial interface, 20/5 MHz max clock, 1056 or 1024 ...
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
AT45DB642D-TU |
|
Память DataFlash (64 MBit, serial interface, 20/5 MHz max clock, 1056 or 1024 ...
|
|
|
1 053.60
|
|
|
|
AT45DB642D-TU |
|
Память DataFlash (64 MBit, serial interface, 20/5 MHz max clock, 1056 or 1024 ...
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
AT45DB642D-TU |
|
Память DataFlash (64 MBit, serial interface, 20/5 MHz max clock, 1056 or 1024 ...
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
AT45DB642D-TU |
|
Память DataFlash (64 MBit, serial interface, 20/5 MHz max clock, 1056 or 1024 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
856
|
|
|
|
|
L-1543SGC |
|
Единичный светодиод
|
KB
|
2 976
|
12.27
|
|
|
|
L-1543SGC |
|
Единичный светодиод
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
L-1543SGC |
|
Единичный светодиод
|
|
|
6.56
|
|
|
|
L-1543SGC |
|
Единичный светодиод
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
L-1543SGC |
|
Единичный светодиод
|
KGB
|
1 031
|
7.83
|
|
|
|
LQH43CN470K03L |
|
|
MURATA
|
2 323
|
22.51
|
|
|
|
LQH43CN470K03L |
|
|
|
48
|
|
|
|
|
LQH43CN470K03L |
|
|
MUR
|
23 131
|
16.17
|
|
|
|
LQH43CN470K03L |
|
|
|
48
|
|
|
|
|
LQH43CN470K03L |
|
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
ANALOG DEVICES
|
129
|
418.15
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
|
|
327.16
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
448
|
|
|