60CTQ150PBF

Версия для печати

Технические характеристики 60CTQ150PBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	880mV @ 30A
Current - Reverse Leakage @ Vr	75µA @ 150V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	30A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	150V
Diode Type	Schottky
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration	1 Pair Common Cathode
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
KA5Q1565RF	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/11.5A, 20kHz, Pout=W	FSC
KA5Q1565RF	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/11.5A, 20kHz, Pout=W
KA5Q1565RF	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/11.5A, 20kHz, Pout=W	FSC1
KA5Q1565RF	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/11.5A, 20kHz, Pout=W
KA5Q1565RF	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/11.5A, 20kHz, Pout=W	ONS
KA5Q1565RF	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/11.5A, 20kHz, Pout=W	4-7 НЕДЕЛЬ	744
LB1838M-TRM-E		SANYO
LB1838M-TRM-E		SANYO SEMICONDUCTOR
LB1838M-TRM-E		SANYO SEMICONDUCTOR CORPORATIO
LB1838M-TRM-E		ONS
LB1838M-TRM-E
LB1838M-TRM-E		4-7 НЕДЕЛЬ	196
ST13009	Транзистор NPN 700V, 12A, 100W, 110nS	ST MICROELECTRONICS
ST13009	Транзистор NPN 700V, 12A, 100W, 110nS			74.80
ST13009	Транзистор NPN 700V, 12A, 100W, 110nS	STMicroelectronics
ST13009	Транзистор NPN 700V, 12A, 100W, 110nS	ST1
ST13009	Транзистор NPN 700V, 12A, 100W, 110nS	ST MICROELECTRO
UC3845BDG		ONS
UC3845BDG		ON SEMICONDUCTOR
UC3845BDG