| Reverse Recovery Time (trr) | 70ns |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Diode Type | Standard |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50µA @ 600V |
| Current - Average Rectified (Io) | 14.7A (DC) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2V @ 6A |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Корпус | PG-TO252-3 |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BZV55-C16 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА
|
DC COMPONENTS
|
106 180
|
1.92
|
|
|
|
|
BZV55-C16 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА
|
NXP
|
8 947
|
1.63
|
|
|
|
|
BZV55-C16 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C16 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА
|
NXP
|
25 136
|
|
|
|
|
|
BZV55-C16 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА
|
PHILIPS
|
1 684
|
|
|
|
|
|
BZV55-C16 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, 16В, 24мА
|
|
|
|
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
132
|
183.45
|
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
|
|
|
|
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
L6386ED |
|
Микросхема высоковольтный драйвер 580V, SO1, FET-IGBT - [SOIC-14-3.9]: Nнижн: 1: ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
623
|
|
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...
|
|
|
360.00
|
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ...
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
STTH12R06G-TR |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
334
|
157.25
|
|
|
|
|
STTH12R06G-TR |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STTH12R06G-TR |
|
|
|
1
|
226.80
|
|
|
|
|
STTH2003CG |
|
Диод выпрямительныйный двойной 300V, 10A, D2P
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STTH2003CG |
|
Диод выпрямительныйный двойной 300V, 10A, D2P
|
|
|
192.00
|
|
|
|
|
STTH2003CG |
|
Диод выпрямительныйный двойной 300V, 10A, D2P
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STTH2003CG |
|
Диод выпрямительныйный двойной 300V, 10A, D2P
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
Версия для печати
