Ограничительный диод шотки в корпусе для поверхностного монтажа
|
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 1A |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Current - Average Rectified (Io) | 1.5A |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 500µA @ 45V |
Diode Type | Schottky |
Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | DO-214AC, SMA |
Корпус | DO-214AC (SMA) |
BYS10-x5 Surface Mount Schottky Barrier Rectifier Также в этом файле: BYS10-45
Производитель:
|
Синонимы от поставщиков: BYS10-45 ; BYS-10-45 ; BYS 10-45 ; BYS — 10-45 ; BYS10-45 ; диод BYS10-45 ; BYS-10 ; BYS 10 ; BYS — 10 ; BYS10 ;
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BYG20J | Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс | VISHAY | ||||||
BYG20J | Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс | 13.20 | ||||||
IRFD110 | Транзистор полевой | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRFD110 | Транзистор полевой | VISHAY | ||||||
IRFD110 | Транзистор полевой | 42.56 | ||||||
IRFD110 | Транзистор полевой | Vishay/Siliconix | ||||||
IRFD110 | Транзистор полевой | ФИЛИППИНЫ | ||||||
IRFD110 | Транзистор полевой | SILICONIX | 30 | |||||
MUR860G | Ультрабыстрый диод 600V 8A | ON SEMICONDUCTOR | ||||||
MUR860G | Ультрабыстрый диод 600V 8A | VISHAY | ||||||
MUR860G | Ультрабыстрый диод 600V 8A | ONS | ||||||
MUR860G | Ультрабыстрый диод 600V 8A | 1 | 146.40 | |||||
MUR860G | Ультрабыстрый диод 600V 8A | ON SEMICONDUCTOR | 69 | |||||
MUR860G | Ультрабыстрый диод 600V 8A | YJ | ||||||
MUR860G | Ультрабыстрый диод 600V 8A | ON SEMICONDUCTO | ||||||
MUR860G | Ультрабыстрый диод 600V 8A | ONSEMICONDUCTOR | ||||||
MUR860G | Ультрабыстрый диод 600V 8A | 1 | ||||||
UC2845BD1 | ST MICROELECTRONICS | |||||||
UC2845BD1 | 76.92 | |||||||
UC2845BD1 | STMicroelectronics | |||||||
UC2845BD1 | ON Semiconductor | |||||||
UC2845BD1 | МАЛАЙЗИЯ |
|