|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BA7356S |
|
TV радиоканал, VIF/SIF
|
ROHM
|
|
|
|
|
|
BA7356S |
|
TV радиоканал, VIF/SIF
|
|
|
488.88
|
|
|
|
BA7356S |
|
TV радиоканал, VIF/SIF
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BA7356S |
|
TV радиоканал, VIF/SIF
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
540
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
SAN
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
YJ
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
США
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
TSL
|
|
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
|
|
282.56
|
|
|
|
BU508A |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
ICE2B165 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/1A, Fosc=67kHz, Pout=18W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
ICE2B165 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/1A, Fosc=67kHz, Pout=18W
|
|
|
|
|
|
|
ICE2B165 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/1A, Fosc=67kHz, Pout=18W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
ICE2B165 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/1A, Fosc=67kHz, Pout=18W
|
США
|
|
|
|
|
|
ICE2B165 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/1A, Fosc=67kHz, Pout=18W
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ICE2B165 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/1A, Fosc=67kHz, Pout=18W
|
|
|
|
|
|
|
ICE2B165 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/1A, Fosc=67kHz, Pout=18W
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
76
|
|
|
|
|
IRF7389 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF7389 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W
|
|
2
|
635.04
|
|
|
|
IRF7389 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
204
|
|
|
|
|
IRF7389 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
IRF7389 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF7389 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF7389 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 30V, -5.3/7.3A, 2.5W
|
EVVO
|
9 409
|
9.32
|
|
|
|
КТ8102А |
|
Транзистор кремниевый питаксиально-планарный структуры PNP универсальный 150Вт, 10МГц
|
|
236
|
154.56
|
|
|
|
КТ8102А |
|
Транзистор кремниевый питаксиально-планарный структуры PNP универсальный 150Вт, 10МГц
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
170.10
|
|
|
|
КТ8102А |
|
Транзистор кремниевый питаксиально-планарный структуры PNP универсальный 150Вт, 10МГц
|
БРЯНСК
|
274
|
231.00
|
|
|
|
КТ8102А |
|
Транзистор кремниевый питаксиально-планарный структуры PNP универсальный 150Вт, 10МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ8102А |
|
Транзистор кремниевый питаксиально-планарный структуры PNP универсальный 150Вт, 10МГц
|
КРЕМН
|
|
|
|