2SK212
ТАРНЗИСТОР N-FET 20V, 10mA, 0.2W, (Idss 0.6mA, Up<2.5V)
|
Версия для печати
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.02 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.2 |
| Крутизна характеристики S,мА/В | 6 |
| Корпус | SOT23 |
| Пороговое напряжение на затворе | -2.5 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 220МКФ 100 (13Х26,АКС.)105°C |
|
|
||||||
 |
 |
2SD1710 |
|
Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц | 11 | 173.88 | ||
|
|
|
2SD1710 |
|
Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц | SANYO |
|
|
|
|
|
|
2SD1710 |
|
Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц | SAN |
|
|
|
|
|
|
2SD1710 |
|
Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц | UNKNOWN |
|
|
|
|
|
|
2SD1710 |
|
Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц | NO TRADEMARK |
|
|
|
|
|
|
2SD1710 |
|
Биполярный транзистор NPN, 800В, 5А, 100Вт, 3МГц | ISCSEMI |
|
|
|
| 330МКФ 25 (10X21)105°C |
|
|
||||||
| SQP-5-1,2 ОМ-5% | 66 | 14.88 | ||||||
| Z5V-2200ПФ 1К (20%) |
|
|
