|   | 
 | 
 Версия для печати
Версия для печати
                        
                        
                    
                                | Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 500 | 
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 400 | 
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 10.00 | 
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 15 | 
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 20.0 | 
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 90 | 
| Корпус | TO3PB | 
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   |   | 2SC3040 |   | Биполярный транзистор NPN 500V, 8A, 80W | SANYO |   |   | |
|   |   | 2SC3040 |   | Биполярный транзистор NPN 500V, 8A, 80W |   | 65.32 | ||
|   |   | 2SC3040 |   | Биполярный транзистор NPN 500V, 8A, 80W | SAN |   |   | |
|   |   | 2SC3040 |   | Биполярный транзистор NPN 500V, 8A, 80W | КИТАЙ |   |   | 
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | 2Д2997А |   | Диод кремниевый, эпитаксиально-диффузионный |   | 211.20 | |||
|   | 2Д2997А |   | Диод кремниевый, эпитаксиально-диффузионный | ФОТОН | 221 |   | ||
|   | 2Д2997А |   | Диод кремниевый, эпитаксиально-диффузионный | RUS |   |   | ||
|   | 2Д2997А |   | Диод кремниевый, эпитаксиально-диффузионный | ОКБ ФОТОН |   |   | ||
| КИПЦ29В1-2/8Л | 31 | 35.15 | ||||||
| КИПЦ29В1-2/8Л | 31 | 35.15 |