| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
16K2 KC 2X20K |
|
|
|
720
|
21.94
|
|
|
|
|
16K2 KC 2X20K |
|
|
|
720
|
21.94
|
|
|
|
|
1N4764A(1W100V) |
|
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
1N4764A(1W100V) |
|
|
EIC
|
|
|
|
|
|
|
1N4764A(1W100V) |
|
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
|
1N4764A(1W100V) |
|
|
0.00
|
|
|
|
|
|
 |
BF245B |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA
|
|
|
14.28
|
|
|
|
|
BF245B |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BF245B |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BF245B |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
BF245B |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BF245B |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BF245B |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BF245B |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 6-15mA
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
32.13
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
2 860
|
12.57
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
552
|
|
|
|
|
|
NJM4558D |
|
|
MATSUSHITA
|
|
|
|
|
|
|
NJM4558D |
|
|
JRC
|
1 854
|
20.07
|
|
|
|
|
NJM4558D |
|
|
|
20
|
75.60
|
|
|
|
|
NJM4558D |
|
|
NJR
|
|
|
|
|
|
|
NJM4558D |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
442
|
|
|
Версия для печати
