Версия для печати

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1UF X 160V TEA-M			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1UF X 160V TEA-M			SOLI
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	11.34
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	10 296	4.72
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	5 898	8.42
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)		5 600	1.22
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	HOTTECH	480	1.75
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KLS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	CHINA	9 600	1.22
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ZH
		TDA7560		Усилитель низих частот - DMOS 4x43W BTL (14.4V/2 Ом), max 4x77W, 26dB, Mute/Standby, HSD	ST MICROELECTRONICS
		TDA7560		Усилитель низих частот - DMOS 4x43W BTL (14.4V/2 Ом), max 4x77W, 26dB, Mute/Standby, HSD			663.88
		TDA7560		Усилитель низих частот - DMOS 4x43W BTL (14.4V/2 Ом), max 4x77W, 26dB, Mute/Standby, HSD	СИНГАПУР
		TDA7560		Усилитель низих частот - DMOS 4x43W BTL (14.4V/2 Ом), max 4x77W, 26dB, Mute/Standby, HSD	ST1
		TDA7560		Усилитель низих частот - DMOS 4x43W BTL (14.4V/2 Ом), max 4x77W, 26dB, Mute/Standby, HSD	NXP
		TDA7560		Усилитель низих частот - DMOS 4x43W BTL (14.4V/2 Ом), max 4x77W, 26dB, Mute/Standby, HSD	STMICROELECTR
		TDA7560		Усилитель низих частот - DMOS 4x43W BTL (14.4V/2 Ом), max 4x77W, 26dB, Mute/Standby, HSD	4-7 НЕДЕЛЬ	623
		TSAL5300		Светодиод инфракрачный	VISHAY
		TSAL5300		Светодиод инфракрачный			32.00
		TSAL5300		Светодиод инфракрачный	Vishay/Semiconductors
		ULN2003AD		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	TEXAS INSTRUMENTS	144	37.80
		ULN2003AD		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...		153	27.75
		ULN2003AD		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	TEXAS
		ULN2003AD		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	TEXAS INSTRUMENTS
		ULN2003AD		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	МАЛАЙЗИЯ
		ULN2003AD		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	TAEJIN TECHNOLOGY CO.,LTD	655	33.34
		ULN2003AD		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход - 5В TTL, CMOS: выход - 50В, 0.5A, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	625

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"