1206-62КJ-0.25

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2N5401Y		FAIRCHILD
2N5401Y		ON SEMI/FAIRCH
2N5401Y		ONSEMICONDUCTOR
2N5401Y		FSC
2N5401Y		ONS
2N5401Y
2SB649AC	Транзистор биполярный PNP высокочастотный	HITACHI
2SB649AC	Транзистор биполярный PNP высокочастотный			40.00
2SB649AC	Транзистор биполярный PNP высокочастотный	UTC
2SB649AC	Транзистор биполярный PNP высокочастотный	HIT
2SB649AC	Транзистор биполярный PNP высокочастотный	UNISONIC
2SB649AC	Транзистор биполярный PNP высокочастотный	КИТАЙ
2SB649AC	Транзистор биполярный PNP высокочастотный	DE
2SC5200-O + 2SA1943-O (ПАРА) ORG		TOS
2SC5200-O + 2SA1943-O (ПАРА) ORG		КИТАЙ
5L0380R
5L0380R
5L0380R		4-7 НЕДЕЛЬ	154
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIR
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	FSC
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В			592.00
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	Fairchild Semiconductor
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	США
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIRCHILD
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	FAIRCHILD
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	ONS-FAIR
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	ON SEMICONDUCTOR
HGTG30N60A4D	Модуль IGBT 600V + диод 600В	ONS