0402-1МJ
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | ANALOG DEVICES |
|
|
|||
| REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | ANALOG |
|
|
|||
| REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | Analog Devices Inc |
|
|
|||
| REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | ANALOG DEVICES |
|
|
|||
| REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | США |
|
|
|||
| REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | СОЕДИНЕННЫЕ ШТА |
|
|
|||
| REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C |
|
592.00 | ||||
| REF195ESZ |
|
ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C | 4-7 НЕДЕЛЬ | 253 |
|
|||
| RT0805BRD0710KL | YAGEO | 110 341 | 2.06 | |||||
| RT0805BRD0710KL |
|
|
||||||
| RT0805BRD071KL | YAGEO | 51 479 | 1.89 | |||||
| RT0805BRD071KL | 4 000 | 3.11 | ||||||
| RT0805BRD0720KL | YAGEO | 48 261 | 2.46 | |||||
| RT0805BRD0720KL |
|
|
||||||
| RT1206BRE07100RL | YAGEO | 11 644 | 3.76 | |||||
| RT1206BRE07100RL |
|
|
