|
Flash память последовательного доступа с минимальным напряжением питания 2.5 В или 2.7 В, идеально подходящая для хранения цифрового аудио, изображений, программного кода и данных. Микросхема поддерживает последовательный интерфейс RapidS для приложений, требующих высоких скоростей передачи данных. 8 650 752 бита памяти организованы в виде 4096 страниц по 256 или 264 байта каждая. В дополнение к основной памяти, AT45DB081D содержит два буфера SRAM памяти по 256/264 байта каждый. Буферы обеспечивают хранение поступающих данных во время перепрограммирования страницы основной памяти. Помимо этого, буферы можно использовать в качестве временной системной памяти, а также для эмуляции EEPROM (с побитной или побайтной перезаписью) благодаря собственному трех-шаговому режиму чтение-модификация-запись. В отличие от традиционной Flash памяти с произвольным доступом посредством нескольких линий адресации и последовательным интерфейсом, устройства DataFlash компании Adesto используют последовательный интерфейс для последовательного доступа к данным. Простой последовательный доступ значительно снижает размер корпуса и число активных выводов микросхемы, упрощает разводку печатной платы, увеличивает надежность системы и минимизирует коммутационные шумы. Микросхемы DataFlash оптимизированы для применения в широком круге промышленных и потребительских приложений, где необходимы большой объем памяти, минимальное число выводов, низкое напряжение питания и пониженное энергопотребление. AT45DB081D работает от единой шины питания в диапазоне напряжений от 2.5 В до 3.6 В или от 2.7 до 3.6 В для функций стирания/записи/чтения. Разрешение доступа к устройству осуществляется посредством вывода Chip Select (CS), а обмен данными - посредством 3-проводного SPI-совместимого интерфейса, включающего выводы Последовательный Вход (SI), Последовательный Выход (SO) и Последовательный Тактовый Сигнал (SCK). |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Формат памяти | FLASH |
| Тип памяти | DataFLASH |
| Объем памяти | 8M (4096 pages x 264 bytes) |
| Скорость | 66MHz |
| Интерфейс подключения | SPI, RapidS |
| Напряжение питания | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
| Корпус | 8-SOIC |
|
Память DataFlash 8 MBit, последоват., 66 MHz max clock, 264 bytes/page, 2x264-byte SRAM data buffers, Vcc=2,5М or 2.7-3.6V, -40 to +85C)
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
ATMEGA644-20PU |
|
ISP-MC 2,7-5,5V 64K-Flash 20MHz | ATMEL |
|
|
|
|
|
|
ATMEGA644-20PU |
|
ISP-MC 2,7-5,5V 64K-Flash 20MHz |
|
1 000.00 | ||
|
|
|
ATMEGA644-20PU |
|
ISP-MC 2,7-5,5V 64K-Flash 20MHz | СОЕДИНЕННЫЕ ШТА |
|
|
|
|
|
|
ATMEGA644-20PU |
|
ISP-MC 2,7-5,5V 64K-Flash 20MHz | MICRO CHIP |
|
|
|
|
|
|
ATMEGA644-20PU |
|
ISP-MC 2,7-5,5V 64K-Flash 20MHz | 4-7 НЕДЕЛЬ | 495 |
|
|
|
|
|
LM337LZ | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
|
|
|
LM337LZ |
|
47.44 | ||||
|
|
|
LM337LZ | NSC |
|
|
|||
|
|
|
LM337LZ | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||
|
|
|
LM337LZ | ВЕЛИКОБРИТАНИЯ |
|
|
|||
|
|
|
LM337LZ | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||
|
|
|
LM337LZ | NS |
|
|
|||
|
|
|
LM337LZ | TEXAS |
|
|
|||
|
|
|
LM337LZ | 4-7 НЕДЕЛЬ | 143 |
|
|||
| SH150S-0.67-115 | TALEMA |
|
|
|||||
| SH150S-0.67-115 |
|
|
||||||
| SH150S-0.67-115 | AlfaMag Electronics, LLC |
|
|
|||||
| SH150S-0.67-115 | ИНДИЯ |
|
|
|||||
| КЛЕММНИК 350-021-12 DEN | DEN |
|
|
|||||
| КЛЕММНИК 350-021-12 DEN | 12 | 19.20 | ||||||
| КЛЕММНИК 350-021-12 DEN | DEGSON ELECTRONICS |
|
|
|||||
| КЛЕММНИК 350-021-12 DEN | КИТАЙ |
|
|
|||||
| РАДИОМОДУЛЬ NRF24L01+ [НАБОР RF001] | РАДИОКИТ |
|
|