| Материал | кремний |
| Максимальное постоянное обратное напряжение,В | 60 |
| Максимальное импульсное обратное напряжение,В | 72 |
| Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток,А | 3 |
| Максимально допустимый прямой импульсный ток,А | 100 |
| Максимальный обратный ток,мкА 25гр | 3000 |
| Максимальное прямое напряжение,В при 25гр. | 0.75 |
| при Iпр.,А | 3 |
| Рабочая частота,кГц | 1000 |
| Общая емкость Сд,пФ | 330 |
| Рабочая температура,С | -65…125 |
| Способ монтажа | В отверст. |
| Корпус | DO201AD |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GOODWORK SEMICONDUCTER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTRON
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DC COMPONENTS
|
2 465
|
3.47
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIC
|
16 292
|
2.29
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YJ
|
55 123
|
2.20
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DC COMPONENTS
|
3 692
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
21
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GOODWORK SEMICONDUCTER, INC.
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
80
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTRON
|
240
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YJ ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
КИТАЙ
|
224
|
3.18
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LESHAN RADIO COMPANY, LTD
|
43 351
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DIODES INC.
|
14
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MMC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIG
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
|
2 359
|
7.40
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
JY
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SUNTAN
|
171
|
1.75
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YANGJIE
|
3 200
|
2.42
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIС
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
1
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST/YJ
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
10
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
68
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
876
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
98
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
542
|
80
|
1.35
>500 шт. 0.45
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
NEC
|
|
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
DC COMPONENTS
|
7 630
|
10.22
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
MATSUSHITA
|
|
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
|
244
|
8.67
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SD882 |
|
Биполярный транзистор NPN 40В, 3A, 10Вт, 90МГц
|
RENESAS
|
|
|
|
|
|
|
7805C |
|
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
|
7805C |
|
|
|
8
|
41.58
|
|
|
|
|
7805C |
|
|
БРЯНСК
|
5 162
|
21.20
|
|
|
|
|
7805C |
|
|
D-PAK
|
|
|
|
|
|
|
7805C |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
7805C |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
HER105 |
|
Диод 1А, 400В
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
HER105 |
|
Диод 1А, 400В
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
HER105 |
|
Диод 1А, 400В
|
|
|
4.08
|
|
|
|
HER105 |
|
Диод 1А, 400В
|
WTE
|
|
|
|
|
|
HER105 |
|
Диод 1А, 400В
|
MCC
|
|
|
|
|
|
HER105 |
|
Диод 1А, 400В
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
HER105 |
|
Диод 1А, 400В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
HER105 |
|
Диод 1А, 400В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
RCL371-1-1-12 |
|
переключатель галетный 16F
|
|
2 172
|
285.62
|
|
|
|
RCL371-1-1-12 |
|
переключатель галетный 16F
|
WELL BUYING
|
|
|
|
|
|
RCL371-1-1-12 |
|
переключатель галетный 16F
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
RCL371-1-1-12 |
|
переключатель галетный 16F
|
RUICHI
|
437
|
356.71
|
|