FYLS-0805UBC

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FYLS-0805UBC (FORYARD)	73 759	1.97

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
32768 HZ(2X6MM)		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
IRF830	N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF830	N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	VISHAY	66	56.58
IRF830	N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	ВЗПП
IRF830	N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А		140	26.56
IRF830	N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	Vishay/Siliconix
IRF830	N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	STMicroelectronics
IRF830	N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	КИТАЙ
IRF830	N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	INFINEON	12	27.30
IRF830	N-канальный Полевой транзистор 500В, 100Вт, 4.5А	15
MMBTA42LT1G	Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ON SEMICONDUCTOR
MMBTA42LT1G	Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ONS	41	14.46
MMBTA42LT1G	Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ON SEMICONDUCTOR	160
MMBTA42LT1G	Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ON SEMICONDUCTO
MMBTA42LT1G	Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.	ONSEMICONDUCTOR
MMBTA42LT1G	Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C), Pb-free.		22 816	2.66
MMBTA92LT1G	Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	4 581	2.12
MMBTA92LT1G	Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ONS	1 680	8.27
MMBTA92LT1G	Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)		3	7.20
MMBTA92LT1G	Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	1 003
MMBTA92LT1G	Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	GALAXY
MMBTA92LT1G	Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTO
MMBTA92LT1G	Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
MMBTA92LT1G	Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=225mW, B>40@I=10mA, f=50MHz, -55 to +150C)	0.00
SDR0805-221KL	Дроссель силовой SMD L=220 uH	BOURNS	4	31.00
SDR0805-221KL	Дроссель силовой SMD L=220 uH			120.00
SDR0805-221KL	Дроссель силовой SMD L=220 uH	BOURNS	1 000
SDR0805-221KL	Дроссель силовой SMD L=220 uH	КИТАЙ