|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
|
|
8.28
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
PHILIPS
|
41
|
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
KEENSIDE
|
1
|
1.31
|
|
|
|
BAS216 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
BAS216 SMD |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS216,115 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS216,115 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
NXP Semiconductors
|
|
|
|
|
|
BAS216,135 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS216,135 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
NXP Semiconductors
|
|
|
|
|
|
BAS216-PHI |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS216-PHI(SOD110) |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS216.115 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS216.115 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
|
|
|
|
|
|
BAS216.115 LEAD |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS216.135 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS216/N |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAS216/N |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAS216/N |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS216/T1 |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS216T/R |
|
Высокоскоростной коммутационный диод Si-Diode 75В, 0.25A, 4нс
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAS40 |
|
Диоды шоттки общего назначения
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS40 |
|
Диоды шоттки общего назначения
|
DC COMPONENTS
|
8 499
|
1.05
|
|
|
|
BAS40 |
|
Диоды шоттки общего назначения
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS40 |
|
Диоды шоттки общего назначения
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAS40 |
|
Диоды шоттки общего назначения
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAS40 |
|
Диоды шоттки общего назначения
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAS40 |
|
Диоды шоттки общего назначения
|
|
|
8.68
|
|
|
|
BAS40 |
|
Диоды шоттки общего назначения
|
INFINEON
|
254
|
|
|
|
|
BAS40 |
|
Диоды шоттки общего назначения
|
NXP
|
35 054
|
|
|
|
|
BAS40 |
|
Диоды шоттки общего назначения
|
DIOTEC
|
4 280
|
2.04
|
|
|
|
BAS40 |
|
Диоды шоттки общего назначения
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BAS40 |
|
Диоды шоттки общего назначения
|
HOTTECH
|
18 106
|
2.40
|
|
|
|
BAS40 |
|
Диоды шоттки общего назначения
|
1
|
|
|
|
|
|
BAS40 |
|
Диоды шоттки общего назначения
|
JSCJ
|
93 260
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
BAT41 |
|
Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT41 |
|
Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAT41 |
|
Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)
|
|
4
|
13.64
|
|
|
|
BAT41 |
|
Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BAT41 |
|
Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BAT41 |
|
Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BAT41 |
|
Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BAT41 |
|
Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BAT41 |
|
Диод Шоттки (Vr=100V, If=100mA, Ifsm=0.75A@t=10ms, Vf=0.4V@I=1mA, -65 to +125C)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAT42 |
|
Диод Шоттки 30V 0,2A DO35
|
|
|
10.56
|
|
|