| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
RS407GL-BP |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
|
RS407L |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
|
RS407L |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
|
RS407L |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
YJ
|
405
|
46.75
|
|
|
|
|
RS407L |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
RS407L |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
RS407L-BP |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
|
W01M |
|
Диодный мост 1.5A/100V
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
W01M |
|
Диодный мост 1.5A/100V
|
DC COMPONENTS
|
7 714
|
12.00
|
|
|
|
|
W01M |
|
Диодный мост 1.5A/100V
|
|
|
18.08
|
|
|
|
|
W01M |
|
Диодный мост 1.5A/100V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
W01M |
|
Диодный мост 1.5A/100V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
W01M |
|
Диодный мост 1.5A/100V
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
W01M |
|
Диодный мост 1.5A/100V
|
KINGTRONIC
|
|
|
|
|
|
|
W01M |
|
Диодный мост 1.5A/100V
|
HOTTECH
|
19
|
8.19
|
|
|
|
|
W01M (1.5А,100В) |
|
Диодный мост 1.5A/100V
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
W01M-BP |
|
Диодный мост 1.5A/100V
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
DC COMPONENTS
|
8 847
|
11.17
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
|
8 734
|
9.54
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
MIC
|
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
HOTTECH
|
785
|
11.04
|
|
|
|
|
KBPC3506 |
|
Диодный мост 35А,600В
|
DC COMPONENTS
|
273
|
81.76
|
|
|
|
|
KBPC3506 |
|
Диодный мост 35А,600В
|
|
|
228.00
|
|
|
|
|
KBPC3506 |
|
Диодный мост 35А,600В
|
YJ
|
191
|
123.86
|
|
|
|
|
KBPC3506 |
|
Диодный мост 35А,600В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
KBPC3506 |
|
Диодный мост 35А,600В
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
|
KBPC3506 |
|
Диодный мост 35А,600В
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
KBPC3506 |
|
Диодный мост 35А,600В
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
W005G |
|
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
W005G |
|
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
|
W005G |
|
|
DIODES INC.
|
86
|
|
|
|
|
|
W005G |
|
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
|
W005G |
|
|
|
|
131.60
|
|
|
|
|
W005G |
|
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
|
W005G |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
W005G |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
60MT120K |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
60MT120K |
|
|
|
|
5 000.00
|
|
|
|
|
160MT160K |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
160MT160K |
|
|
|
|
10 400.00
|
|
|
