| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
NXP
|
139
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
YJ
|
209 776
|
1.31
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
HOTTECH
|
14 982
|
1.73
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
GALAXY ME
|
6 778
|
4.43
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
UMW
|
6 640
|
2.07
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
SUNTAN
|
195
|
2.36
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
SHIKUES
|
6 342
|
2.03
|
|
|
|
|
BSS84 |
|
Транзистор биполярный P-канальный (50V, 0.13A, 0.36W, 10R)
|
XSEMI
|
10 920
|
1.66
|
|
|
|
|
BUK7105-40AIE |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BUK7105-40AIE |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BUK7105-40AIE |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BUK7105-40AIE |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BUK7107-55AIE |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BUK7108-40AIE |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BUK7108-40AIE |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BUK7108-40AIE |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
IRFR320TR |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRFR320TR |
|
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRFR320TR |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
732
|
|
|
|
|
|
IRFR320TR |
|
|
VBSEMI
|
|
|
|
|
|
|
PML260SN |
|
N-канальный trenchmos™ транзистор со стандартным уровнем fet
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
PMN38EN |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
PMN55LN |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
PSMN005-55P |
|
N-channel logic level trenchmos (tm) transistor
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
PSMN165-200K |
|
N-канальный полевой транзистор
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
PSMN165-200K |
|
N-канальный полевой транзистор
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
2SK3797 |
|
N-MOS 600V, 13A, 50W
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
|
2SK3797 |
|
N-MOS 600V, 13A, 50W
|
|
|
230.00
|
|
|
|
|
2SK3797 |
|
N-MOS 600V, 13A, 50W
|
TOS
|
|
|
|
|
|
|
2SK3797 |
|
N-MOS 600V, 13A, 50W
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
IRF7453 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF7453 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
|
|
|
|
|
|
|
IRF7453 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFBF30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=900V, Id=3.6A@T=25C, Id=2.3A@T=100C, Rds=3.7 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFBF30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=900V, Id=3.6A@T=25C, Id=2.3A@T=100C, Rds=3.7 R, ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRFBF30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=900V, Id=3.6A@T=25C, Id=2.3A@T=100C, Rds=3.7 R, ...
|
|
|
94.08
|
|
|
|
|
IRFBF30 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=900V, Id=3.6A@T=25C, Id=2.3A@T=100C, Rds=3.7 R, ...
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
