|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
KBU8M-E4/51 |
|
Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR
|
|
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
DC COMPONENTS
|
11 035
|
29.67
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
MCC
|
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
|
6 461
|
11.76
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
MIC
|
4 276
|
23.46
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
HOTTECH
|
6 931
|
20.93
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
YJ
|
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
GALAXY ME
|
13
|
26.57
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
KLS
|
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
SEP
|
1 488
|
23.06
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
YANGJIE
|
35 840
|
27.33
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
RUME
|
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
BO
|
1 600
|
11.29
|
|
|
|
RS407 (4А,1000В) |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
RS407-DC(BRIDGE4A1000V) |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
RS407GL-BP |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
RS407L |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
RS407L |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
RS407L |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
YJ
|
405
|
46.75
|
|
|
|
RS407L |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
RS407L |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
RS407L-BP |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
W01M |
|
Диодный мост 1.5A/100V
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
W01M |
|
Диодный мост 1.5A/100V
|
DC COMPONENTS
|
7 690
|
11.99
|
|
|
|
W01M |
|
Диодный мост 1.5A/100V
|
|
|
18.08
|
|
|
|
W01M |
|
Диодный мост 1.5A/100V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
W01M |
|
Диодный мост 1.5A/100V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
W01M |
|
Диодный мост 1.5A/100V
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
W01M |
|
Диодный мост 1.5A/100V
|
KINGTRONIC
|
|
|
|
|
|
W01M |
|
Диодный мост 1.5A/100V
|
HOTTECH
|
19
|
8.19
|
|
|
|
W01M (1.5А,100В) |
|
Диодный мост 1.5A/100V
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
W01M-BP |
|
Диодный мост 1.5A/100V
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
DC COMPONENTS
|
8 759
|
11.16
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
|
7 854
|
9.54
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
MIC
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
HOTTECH
|
785
|
11.04
|
|
|