| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
NGB8206NTF4 |
|
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
 |
 |
NGD8205NT4 |
|
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
NGB8207NT4G |
|
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
IHP10T120 |
|
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
IHW15N120R2 |
|
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
IHW15N120R2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IHW20N120R2 |
|
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
IRG7PH50K10D |
|
IGBT транзистор, 1200В, 90А, Частота 20кГц, 400Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRG7PH50K10D |
|
IGBT транзистор, 1200В, 90А, Частота 20кГц, 400Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRG7PH50K10D |
|
IGBT транзистор, 1200В, 90А, Частота 20кГц, 400Вт
|
|
|
|
|
|
|
|
IRG7PH50K10DPBF |
|
IGBT транзистор, 1200В, 90А, Частота 20кГц, 400Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRG7PH50K10DPBF |
|
IGBT транзистор, 1200В, 90А, Частота 20кГц, 400Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRG7PH50K10DPBF |
|
IGBT транзистор, 1200В, 90А, Частота 20кГц, 400Вт
|
|
|
|
|
|
|
|
BF991 |
|
|
PHILIPS
|
1 708
|
33.60
|
|
|
|
|
BF991 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BF991 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BF991 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BF991 |
|
|
|
|
50.64
|
|
|
|
|
BF991 |
|
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
BF991 |
|
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
|
BF994S |
|
|
|
|
50.64
|
|
|
|
|
BF994S |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BF994S |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BLF278 |
|
|
|
4
|
25 392.00
|
|
|
|
|
BLF278 |
|
|
NXP
|
3
|
21 000.00
|
|
|
|
|
BLF278 |
|
|
ADVANCED SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BLF278 |
|
|
PHILLIPS
|
11
|
21 000.00
|
|
|
|
|
BSS83 |
|
Транзистор биполярный SMD P-MOS 60В 0.33A
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BSS83 |
|
Транзистор биполярный SMD P-MOS 60В 0.33A
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BSS83 |
|
Транзистор биполярный SMD P-MOS 60В 0.33A
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BSS83 |
|
Транзистор биполярный SMD P-MOS 60В 0.33A
|
|
|
65.80
|
|
|
|
|
BSS83 |
|
Транзистор биполярный SMD P-MOS 60В 0.33A
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
PD55003-E |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
PD55003-E |
|
|
|
|
1 140.00
|
|
|
|
|
PD55003-E |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
2SK372 |
|
Транзистор полевой
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
|
2SK372 |
|
Транзистор полевой
|
|
|
19.16
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BF245A |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом 30V, 25mA, 0,3W, 2-6,5mA
|
NXP
|
|
|
|
|
