| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
STGW35HF60WD |
|
Ультрабыстрые igbt транзисторы на 35а, 600в
|
|
|
|
|
|
|
|
STGW35NB60S |
|
N-канальный igbt-транзистор на 600 в, 35 аНе рекомендуется для новых разработок.
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGW35NB60S |
|
N-канальный igbt-транзистор на 600 в, 35 аНе рекомендуется для новых разработок.
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGW35NB60SD |
|
N-канальный igbt-транзистор на 600 в, 35 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGW35NB60SD |
|
N-канальный igbt-транзистор на 600 в, 35 а
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGW40NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 40 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGW40NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 40 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
|
|
420.00
|
|
|
|
|
STGW40NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 40 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGW40NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 40 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STGW40NC60W |
|
Ультрабыстродействующий igbt-транзистор на 600 в, 40 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGW40NC60W |
|
Ультрабыстродействующий igbt-транзистор на 600 в, 40 а
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGW45HF60WD |
|
Ультрабыстрые igbt транзисторы на 45а, 600в
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGW45HF60WD |
|
Ультрабыстрые igbt транзисторы на 45а, 600в
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGW45HF60WD |
|
Ультрабыстрые igbt транзисторы на 45а, 600в
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STGW45HF60WD |
|
Ультрабыстрые igbt транзисторы на 45а, 600в
|
|
|
|
|
|
|
|
STGW45HF60WD |
|
Ультрабыстрые igbt транзисторы на 45а, 600в
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STGW45HF60WD |
|
Ультрабыстрые igbt транзисторы на 45а, 600в
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
STGW45HF60WDI |
|
Ультрабыстрые igbt транзисторы на 45а, 600в
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGW45HF60WDI |
|
Ультрабыстрые igbt транзисторы на 45а, 600в
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGW45HF60WDI |
|
Ультрабыстрые igbt транзисторы на 45а, 600в
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STGW45HF60WDI |
|
Ультрабыстрые igbt транзисторы на 45а, 600в
|
|
|
|
|
|
|
|
STGW45NC60VD |
|
Быстродействующий igbt-транзистор на 600 в, 45 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGW45NC60VD |
|
Быстродействующий igbt-транзистор на 600 в, 45 а
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGW45NC60WD |
|
Ультрабыстродействующий igbt-транзистор на 600 в, 45 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGW45NC60WD |
|
Ультрабыстродействующий igbt-транзистор на 600 в, 45 а
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGWS38IH130D |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 1300 в, 33 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGWS38IH130D |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 1300 в, 33 а
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PC30FPBF |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRGP35B60PDPBF |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRGP35B60PDPBF |
|
|
INFINEON
|
136
|
898.13
|
|
|
|
|
IRGP35B60PDPBF |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IRGB20B60PD1PBF |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRGB20B60PD1PBF |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IRGB20B60PD1PBF |
|
|
INFINEON
|
48
|
690.21
|
|
|
|
|
SGH80N60UFDTU |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
SGH80N60UFDTU |
|
|
|
|
900.00
|
|
|
|
|
SGH80N60UFDTU |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
SGH80N60UFDTU |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
SGH80N60UFDTU |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PC30WPBF |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PC30WPBF |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PC30WPBF |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
GT60M303 |
|
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
|
IRG4BC10UDPBF |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRG4BC20UDPBF |
|
Транзистор 600V 13A 60W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRG4BC20UDPBF |
|
Транзистор 600V 13A 60W
|
|
|
|
|
|
|
|
IRG4BC20UDPBF |
|
Транзистор 600V 13A 60W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRG4BC20WPBF |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UDPBF |
|
Транзистор IGBT+DI (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, Vce(on)=1.65V(typ), ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UDPBF |
|
Транзистор IGBT+DI (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, Vce(on)=1.65V(typ), ...
|
INFINEON
|
|
|
|
