| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
LM809M3-2.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
США
|
|
|
|
|
|
|
LM809M3-2.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
LM809M3-2.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM809M3-2.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM809M3-2.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
170
|
|
|
|
|
|
LM809M3-2.93 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.93V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM809M3-2.93 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.93V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM809M3-2.93 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.93V +/-3%, t=240ms (typ))
|
|
|
41.96
|
|
|
|
|
LM809M3-2.93 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.93V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM809M3-2.93 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.93V +/-3%, t=240ms (typ))
|
США
|
|
|
|
|
|
|
LM809M3-2.93 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.93V +/-3%, t=240ms (typ))
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
LM809M3-2.93 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.93V +/-3%, t=240ms (typ))
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM809M3-2.93 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.93V +/-3%, t=240ms (typ))
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
584
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
|
|
42.12
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
США
|
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
52
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
666
|
|
|
|
|
|
LP3470IM5-2.93 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LP3470IM5-2.93 |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LP3470IM5-2.93 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LP3470IM5-2.93 |
|
|
|
|
87.64
|
|
|
|
|
LP3470IM5-2.93 |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LP3470IM5-2.93 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
200
|
|
|
|
|
|
LP3470IM5-3.08 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LP3470IM5-3.08 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
4
|
|
|
|
|
|
LP3470IM5-3.08 |
|
|
|
|
95.80
|
|
|
|
|
LP3470IM5-3.08 |
|
|
NATIONAL SEMICO
|
|
|
|
|
|
|
LP3470IM5-3.08 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
614
|
|
|
|
|
|
LP3470M5-2.63 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LP3470M5-2.63 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LP3470M5-2.63 |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LP3470M5-2.63 |
|
|
|
|
80.32
|
|
|
|
|
LP3470M5-2.63 |
|
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
|
LP3470M5-2.63 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
639
|
|
|
|
|
|
LP3470M5-3.08 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LP3470M5-3.08 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LP3470M5-3.08 |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LP3470M5-3.08 |
|
|
|
|
80.32
|
|
|
|
|
LP3470M5-3.08 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
452
|
|
|
|
|
|
LP3470M5-4.63 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LP3470M5-4.63 |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LP3470M5-4.63 |
|
|
|
|
80.32
|
|
|
|
|
LP3470M5-4.63 |
|
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
LP3470M5-4.63 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
499
|
|
|
|
|
|
MC34064P-5 |
|
ИМС ОБНАР.ПОНИЖ.направленный 5В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC34064P-5 |
|
ИМС ОБНАР.ПОНИЖ.направленный 5В
|
ONS
|
|
|
|
