| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
TL431CLPRP |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
TL431CLPRP |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
TL431CPN |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
TL431CPN |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
TL431I |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
54
|
10.50
|
|
|
|
|
TL431I |
|
|
|
|
|
|
 |
|
TL431ID |
|
Регулир. прецизионный параллельный СН (Vout=2.5-36V, tol=2%, 30ppm/C, I=1-100mA, -40 ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
1 584
|
10.50
|
|
|
|
|
TL431ID |
|
Регулир. прецизионный параллельный СН (Vout=2.5-36V, tol=2%, 30ppm/C, I=1-100mA, -40 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TL431ID |
|
Регулир. прецизионный параллельный СН (Vout=2.5-36V, tol=2%, 30ppm/C, I=1-100mA, -40 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
TL431ID |
|
Регулир. прецизионный параллельный СН (Vout=2.5-36V, tol=2%, 30ppm/C, I=1-100mA, -40 ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
TL431ID |
|
Регулир. прецизионный параллельный СН (Vout=2.5-36V, tol=2%, 30ppm/C, I=1-100mA, -40 ...
|
|
4
|
14.84
|
|
|
|
|
TL431ID |
|
Регулир. прецизионный параллельный СН (Vout=2.5-36V, tol=2%, 30ppm/C, I=1-100mA, -40 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
881
|
|
|
|
|
|
TL431ID |
|
Регулир. прецизионный параллельный СН (Vout=2.5-36V, tol=2%, 30ppm/C, I=1-100mA, -40 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
TL431ID |
|
Регулир. прецизионный параллельный СН (Vout=2.5-36V, tol=2%, 30ppm/C, I=1-100mA, -40 ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
TL431ID |
|
Регулир. прецизионный параллельный СН (Vout=2.5-36V, tol=2%, 30ppm/C, I=1-100mA, -40 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
TL431ID |
|
Регулир. прецизионный параллельный СН (Vout=2.5-36V, tol=2%, 30ppm/C, I=1-100mA, -40 ...
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
TL431ID |
|
Регулир. прецизионный параллельный СН (Vout=2.5-36V, tol=2%, 30ppm/C, I=1-100mA, -40 ...
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
TL431ID |
|
Регулир. прецизионный параллельный СН (Vout=2.5-36V, tol=2%, 30ppm/C, I=1-100mA, -40 ...
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
TL431ID |
|
Регулир. прецизионный параллельный СН (Vout=2.5-36V, tol=2%, 30ppm/C, I=1-100mA, -40 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
459
|
|
|
|
|
|
TL431IDR2 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
TL431IDR2 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
TL431ILPRP |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
TL431IZ |
|
Источник опорного напряжения
|
SGS
|
|
|
|
|
|
|
TL431IZ |
|
Источник опорного напряжения
|
ST MICROELECTRONICS
|
20
|
21.78
|
|
|
|
|
TL431IZ |
|
Источник опорного напряжения
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TL431IZ |
|
Источник опорного напряжения
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
TL431IZ |
|
Источник опорного напряжения
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
|
TL431IZ |
|
Источник опорного напряжения
|
|
|
15.00
|
|
|
|
|
TL431IZ |
|
Источник опорного напряжения
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
TL431IZ |
|
Источник опорного напряжения
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
595
|
|
|
|
|
|
TLE2425CLP |
|
Микросхема Precision Virtual Ground
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
TLE2425CLP |
|
Микросхема Precision Virtual Ground
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
TLV431ACDBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
TLV431ACDBVR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
206
|
|
|
|
|
|
TLV431ACDBVR |
|
|
|
|
57.60
|
|
|
|
|
TLV431ACDBVR |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
TLV431ACDBVR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
286
|
|
|
|
|
|
ADR431ARZ |
|
2.5 V High Precision, Low Noise XFETR Reference SOIC8
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
ADR431ARZ |
|
2.5 V High Precision, Low Noise XFETR Reference SOIC8
|
|
|
827.40
|
|
|
|
|
ADR431ARZ |
|
2.5 V High Precision, Low Noise XFETR Reference SOIC8
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
ADR431ARZ |
|
2.5 V High Precision, Low Noise XFETR Reference SOIC8
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
472
|
|
|
|
|
|
MAX6138AEXR25+T |
|
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
|
MAX6138AEXR25+T |
|
|
|
|
1 440.00
|
|
|
|
|
MAX6138AEXR25+T |
|
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
|
|
|
MAX6138AEXR25+T |
|
|
MAXIM
|
|
|
|
|
|
|
MAX6138AEXR25+T |
|
|
MAX
|
|
|
|
|
|
|
MAX6138AEXR25+T |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
794
|
|
|
|
|
|
AD586KNZ |
|
ИОН 5,0V+2,5mV, 3mA, Uпит=10,8.36V, 15ppm/°C, -40.+85°С, DIP-8
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
AD586KNZ |
|
ИОН 5,0V+2,5mV, 3mA, Uпит=10,8.36V, 15ppm/°C, -40.+85°С, DIP-8
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
AD586KNZ |
|
ИОН 5,0V+2,5mV, 3mA, Uпит=10,8.36V, 15ppm/°C, -40.+85°С, DIP-8
|
|
|
|
|
