| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
TC58NVM9S3CBAJW |
|
64м х 8 бит nand flash
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
|
TC58NVM9S3CTA00 |
|
64м х 8 бит nand flash
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
|
W24129A |
|
Высокоскоростная ис статической памяти 16к х 8
|
WINBOND
|
|
|
|
|
|
|
W24256S |
|
Статическая память 32кх8
|
WINBOND
|
|
|
|
|
|
|
W24257AQ |
|
Высокоскоростная статическая память 32к х 8
|
WINBOND
|
|
|
|
|
|
|
W24257AS |
|
Высокоскоростная статическая память 32к х 8
|
WINBOND
|
|
|
|
|
|
|
W24257Q |
|
Малопотребляющая статическая память 32кх8
|
WINBOND
|
|
|
|
|
|
|
W24257S |
|
Малопотребляющая статическая память 32кх8
|
WINBOND
|
|
|
|
|
|
|
W24258 |
|
Ис статической памяти 32к х 8
|
WINBOND
|
|
|
|
|
|
|
W24258-LL |
|
Никопотребляющая ис статической памяти 32к х 8
|
WINBOND
|
|
|
|
|
|
|
W24512A |
|
Высокоскоростная ис статической памяти 64к х 8
|
WINBOND
|
|
|
|
|
|
|
W2465 |
|
Ис статической памяти 8к х 8
|
WINBOND
|
|
|
|
|
|
|
W2465A |
|
Высокоскоростная ис статической памяти 8к х 8
|
WINBOND
|
|
|
|
|
|
|
W24L011A |
|
Высокоскоростная ис статической памяти 128к х 8
|
WINBOND
|
|
|
|
|
|
|
W24L257 |
|
Ис статической памяти 32к х 8
|
WINBOND
|
|
|
|
|
|
|
W24LH8 |
|
Ис статической памяти 32к х 8
|
WINBOND
|
|
|
|
|
|
|
W26010A |
|
Высокоскоростная ис статической памяти 64к х 16
|
WINBOND
|
|
|
|
|
|
|
W26020A |
|
Высокоскоростная ис статической памяти 128к х 16
|
WINBOND
|
|
|
|
|
|
|
M25PE80-VMW6TG |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
M25PE80-VMW6TG |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
80
|
125.71
|
|
|
|
|
M25PE80-VMW6TG |
|
|
MICRON
|
|
|
|
|
|
|
M25PE80-VMW6TG |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
M25PE80-VMW6TG |
|
|
Numonyx - A DIVISION OF MICRON SEMICONDUCTOR PRODUCTS, INC
|
|
|
|
|
|
|
M25PE80-VMW6TG |
|
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
|
M25PE80-VMW6TG |
|
|
MICRON TECHNOLOGY,INC
|
|
|
|
|
|
|
M25PE80-VMW6TG |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
96
|
|
|
|
|
|
MT47H64M16HR-3 IT:H |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MT47H64M16HR-3 IT:H |
|
|
MICRON
|
|
|
|
|
|
|
MT47H64M16HR-3 IT:H |
|
|
Micron Technology Inc
|
|
|
|
|
|
|
MT47H64M16HR-3 IT:H |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
335
|
|
|
|
|
|
24LC21A/P |
|
|
MICRO CHIP
|
83
|
|
|
|
|
|
24LC21A/P |
|
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
24LC21A/P |
|
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
93LC66B-I/P |
|
Память EEPROM serial Microwire 4K
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
93LC66B-I/P |
|
Память EEPROM serial Microwire 4K
|
|
|
51.88
|
|
|
|
|
93LC66B-I/P |
|
Память EEPROM serial Microwire 4K
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
93LC66B-I/P |
|
Память EEPROM serial Microwire 4K
|
MICRO CHIP
|
45
|
|
|
|
|
|
93LC66B-I/P |
|
Память EEPROM serial Microwire 4K
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
93LC66B-I/P |
|
Память EEPROM serial Microwire 4K
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
93LC66B-I/P |
|
Память EEPROM serial Microwire 4K
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
204
|
|
|
|
|
|
AT24C08BN-SH-B |
|
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
|
AT24C08BN-SH-B |
|
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
|
AT24C08BN-SH-B |
|
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
|
AT24C08BN-SH-B |
|
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
AT24C1024BW-SH25-B |
|
Микросхема, посл. память EEPROM, 1M Vp=2.5V, -40+85
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
|
AT24C1024BW-SH25-B |
|
Микросхема, посл. память EEPROM, 1M Vp=2.5V, -40+85
|
|
|
428.32
|
|
|
|
|
AT24C1024BW-SH25-B |
|
Микросхема, посл. память EEPROM, 1M Vp=2.5V, -40+85
|
США
|
|
|
|
|
|
|
AT24C1024BW-SH25-B |
|
Микросхема, посл. память EEPROM, 1M Vp=2.5V, -40+85
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
AT24C1024BW-SH25-B |
|
Микросхема, посл. память EEPROM, 1M Vp=2.5V, -40+85
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
|
AT24C1024BW-SH25-B |
|
Микросхема, посл. память EEPROM, 1M Vp=2.5V, -40+85
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
630
|
|
|
