| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
IDT71V416L10PHG |
|
Статическая память (SRAM) (4M (256k x 16 bit), V=3 to 3.6V, 10ns, T=0 to 70C)
|
IDT
|
|
|
|
|
|
|
IDT71V416L10PHG |
|
Статическая память (SRAM) (4M (256k x 16 bit), V=3 to 3.6V, 10ns, T=0 to 70C)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
540
|
|
|
 |
|
25LC160A-I/P |
|
EEPRM, 16K, Ind
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
25LC160A-I/P |
|
EEPRM, 16K, Ind
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
25LC160A-I/P |
|
EEPRM, 16K, Ind
|
|
|
|
|
|
|
|
25LC160A-I/P |
|
EEPRM, 16K, Ind
|
MICRO CHIP
|
308
|
|
|
|
|
|
25LC160A-I/P |
|
EEPRM, 16K, Ind
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
449
|
|
|
|
|
|
BS62LV1027SIP70 |
|
Статическая память (SRAM) (128K x 8 bit, 70ns, Vcc=2.4-5.5V, Vdr=1.5V(min), Isb
|
BRILLIANCE SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
M95080-WMN6P |
|
ИМС EEPROM SPI 1kx8
|
|
|
100.00
|
|
|
|
|
M95080-WMN6P |
|
ИМС EEPROM SPI 1kx8
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
M95080-WMN6P |
|
ИМС EEPROM SPI 1kx8
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M95080-WMN6P |
|
ИМС EEPROM SPI 1kx8
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
90
|
|
|
|
|
|
24FC128-I/SN |
|
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
24FC128-I/SN |
|
|
|
|
141.24
|
|
|
|
|
24FC128-I/SN |
|
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
24FC128-I/SN |
|
|
MICRO CHIP
|
25
|
|
|
|
|
|
24FC128-I/SN |
|
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
24FC128-I/SN |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
173
|
|
|
|
|
|
24LC08B-I/P |
|
EEPROM ser 2,5V 4x256x8
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
24LC08B-I/P |
|
EEPROM ser 2,5V 4x256x8
|
|
|
45.48
|
|
|
|
|
24LC08B-I/P |
|
EEPROM ser 2,5V 4x256x8
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
24LC08B-I/P |
|
EEPROM ser 2,5V 4x256x8
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
24LC08B-I/P |
|
EEPROM ser 2,5V 4x256x8
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
24LC08B-I/P |
|
EEPROM ser 2,5V 4x256x8
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
24LC08B-I/P |
|
EEPROM ser 2,5V 4x256x8
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
308
|
|
|
|
|
|
24LC16B-E/SN |
|
|
MICRO CHIP
|
29
|
52.50
|
|
|
|
|
24LC16B-E/SN |
|
|
|
|
42.56
|
|
|
|
|
24LC16B-E/SN |
|
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
24LC16B-E/SN |
|
|
MCP
|
|
|
|
|
|
|
24LC16B-E/SN |
|
|
MICRO CHIP
|
2
|
|
|
|
|
|
24LC16B-E/SN |
|
|
MCT
|
|
|
|
|
|
|
24LC16B-E/SN |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
484
|
|
|
|
|
|
24LC16B-E/SN |
|
|
37
|
|
|
|
|
|
|
24LC16B-I/P |
|
EEPROM ser 2,5V 8x256x8
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
24LC16B-I/P |
|
EEPROM ser 2,5V 8x256x8
|
|
|
48.16
|
|
|
|
|
24LC16B-I/P |
|
EEPROM ser 2,5V 8x256x8
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
24LC16B-I/P |
|
EEPROM ser 2,5V 8x256x8
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
24LC16B-I/P |
|
EEPROM ser 2,5V 8x256x8
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
24LC16B-I/P |
|
EEPROM ser 2,5V 8x256x8
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
24LC16B-I/P |
|
EEPROM ser 2,5V 8x256x8
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
561
|
|
|
|
|
|
24LC256-E/SM |
|
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
24LC256-E/SM |
|
|
|
|
173.64
|
|
|
|
|
24LC256-E/SM |
|
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
24LC256-E/SM |
|
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
24LC256-E/SM |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
791
|
|
|
|
|
|
24LC32A-I/P |
|
Энергонезависимая память с последовательным интерфейсом 32кбит, 400МГц, 2.5-5.5В
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
24LC32A-I/P |
|
Энергонезависимая память с последовательным интерфейсом 32кбит, 400МГц, 2.5-5.5В
|
|
|
64.12
|
|
|
|
|
24LC32A-I/P |
|
Энергонезависимая память с последовательным интерфейсом 32кбит, 400МГц, 2.5-5.5В
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
24LC32A-I/P |
|
Энергонезависимая память с последовательным интерфейсом 32кбит, 400МГц, 2.5-5.5В
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
24LC32A-I/P |
|
Энергонезависимая память с последовательным интерфейсом 32кбит, 400МГц, 2.5-5.5В
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
