Память (eeprom, flash, ram)

« 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | »

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AT49BV3218-90TI	Flash parallel 4M x 8 or 2M x 16, U=2.65 - 3.3V, 90ns, Industrial	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
AT49BV3218-90TI	Flash parallel 4M x 8 or 2M x 16, U=2.65 - 3.3V, 90ns, Industrial	4-7 НЕДЕЛЬ	329
AT93C66A-10SU-2.7	Память EEPROM 4кбит, Serial, 3-Wire, Microwire, 2.7В / 5.0В	ATMEL
AT93C66A-10SU-2.7	Память EEPROM 4кбит, Serial, 3-Wire, Microwire, 2.7В / 5.0В	ATMEL CORPORATION
AT93C66A-10SU-2.7	Память EEPROM 4кбит, Serial, 3-Wire, Microwire, 2.7В / 5.0В			29.12
AT93C66A-10SU-2.7	Память EEPROM 4кбит, Serial, 3-Wire, Microwire, 2.7В / 5.0В	США
AT93C66A-10SU-2.7	Память EEPROM 4кбит, Serial, 3-Wire, Microwire, 2.7В / 5.0В	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
AT93C66A-10SU-2.7	Память EEPROM 4кбит, Serial, 3-Wire, Microwire, 2.7В / 5.0В	4-7 НЕДЕЛЬ	240
AT93C66A-10SU-2.7 SO-8	Память EEPROM 4кбит, Serial, 3-Wire, Microwire, 2.7В / 5.0В	ATMEL
AT93C66A-10SU-2.7 SO-8 09.02 - 30 Д	Память EEPROM 4кбит, Serial, 3-Wire, Microwire, 2.7В / 5.0В	ATMEL
AT93C66A-10SU-2.7 SO-8 24.11 - 10 Д	Память EEPROM 4кбит, Serial, 3-Wire, Microwire, 2.7В / 5.0В	ATMEL
BS62LV4006PCP-55	SRAM 512KX8 55NS 5V	ROHM
BS62LV4006PCP-55	SRAM 512KX8 55NS 5V	BRILLIANCE SEMICONDUCTOR
BS62LV4006PCP-55	SRAM 512KX8 55NS 5V			476.08
BS62LV4006PCP-55	SRAM 512KX8 55NS 5V	4-7 НЕДЕЛЬ	417
BS62LV4006PCP-70	SRAM 512K x 8 5V	ROHM
BS62LV4006PCP-70	SRAM 512K x 8 5V			481.92
BS62LV4006PCP-70	SRAM 512K x 8 5V	4-7 НЕДЕЛЬ	523
CY7C146-25JXC		CYPRESS
CY7C146-25JXC				826.76
CY7C146-25JXC		Cypress Semiconductor Corp
CY7C146-25JXC		4-7 НЕДЕЛЬ	616
K6R4008C1D-KI10	SRAM 512K x 8 5.0V High Speed 10ns	SAMSUNG
K6R4008C1D-KI10	SRAM 512K x 8 5.0V High Speed 10ns	SAMSUNG
K6R4008C1D-KI10	SRAM 512K x 8 5.0V High Speed 10ns	SAM
K6R4008C1D-KI10	SRAM 512K x 8 5.0V High Speed 10ns			488.04
K6R4008C1D-KI10	SRAM 512K x 8 5.0V High Speed 10ns	4-7 НЕДЕЛЬ	332
K6R4008V1D-KI10	SRAM 512K x 8, 3.3V, 10ns	SAMSUNG
K6R4008V1D-KI10	SRAM 512K x 8, 3.3V, 10ns	SAMSUNG
K6R4008V1D-KI10	SRAM 512K x 8, 3.3V, 10ns			427.36
K6R4008V1D-KI10	SRAM 512K x 8, 3.3V, 10ns	SAM
K6R4008V1D-KI10	SRAM 512K x 8, 3.3V, 10ns	4-7 НЕДЕЛЬ	620
K6R4008V1D-UI10	SRAM 512K x 8, 3.3V, 10ns, Pb free	SAMSUNG
K6R4008V1D-UI10	SRAM 512K x 8, 3.3V, 10ns, Pb free	SAMSUNG
K6R4008V1D-UI10	SRAM 512K x 8, 3.3V, 10ns, Pb free			448.76
K6R4008V1D-UI10	SRAM 512K x 8, 3.3V, 10ns, Pb free	SAM
K6R4008V1D-UI10	SRAM 512K x 8, 3.3V, 10ns, Pb free	ТАИЛАНД
K6R4008V1D-UI10	SRAM 512K x 8, 3.3V, 10ns, Pb free	4-7 НЕДЕЛЬ	613
K6R4016C1D-UC10	SRAM 256K x 16 5.0V High Speed 10ns	SAMSUNG
K6R4016C1D-UC10	SRAM 256K x 16 5.0V High Speed 10ns			489.04
K6R4016C1D-UC10	SRAM 256K x 16 5.0V High Speed 10ns	4-7 НЕДЕЛЬ	251
K6R4016C1D-UI10	SRAM 256K x 16 5.0V High Speed 10ns	SAMSUNG
K6R4016C1D-UI10	SRAM 256K x 16 5.0V High Speed 10ns	SAM
K6R4016C1D-UI10	SRAM 256K x 16 5.0V High Speed 10ns			513.40
K6R4016C1D-UI10	SRAM 256K x 16 5.0V High Speed 10ns	КИТАЙ
K6R4016C1D-UI10	SRAM 256K x 16 5.0V High Speed 10ns	SAMSUNG
K6R4016C1D-UI10	SRAM 256K x 16 5.0V High Speed 10ns	4-7 НЕДЕЛЬ	704
K6R4016V1D-UI10	Память статическая 256K x 16, Vcc=3.3V (-40 +85 C) PB-free	SAMSUNG
K6R4016V1D-UI10	Память статическая 256K x 16, Vcc=3.3V (-40 +85 C) PB-free			465.48
K6R4016V1D-UI10	Память статическая 256K x 16, Vcc=3.3V (-40 +85 C) PB-free	SAM

« 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | »

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Микросхемы