| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LTV
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LIT
|
8 488
|
10.44
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
QTC
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
COSMO
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LITE-ON
|
777
|
14.46
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
FAIRCHILD
|
180
|
31.50
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
QT OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
QTC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
Lite-On Inc
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
ISOCOM
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
VISHAY
|
71
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EVERLIGHT
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EVLT
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EVERLIGHT
|
780
|
25.20
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
|
865
|
44.40
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EVERLLIGHT
|
6 480
|
23.76
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EL
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
TOS
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
YOUTAI
|
10 436
|
7.59
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
EVL
|
1 931
|
11.56
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
TOSHIBA
|
1
|
18.51
|
|
|
|
|
4N35 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
AVAGO
|
28
|
31.50
|
|
|
|
|
4N35 (АОТ128А-Д)6 |
|
Оптотранзистор, 1 канал,100мА, 30В
|
|
|
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
|
3
|
47.88
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
Lite-On Inc
|
|
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
США
|
|
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
FAIRCHILD
|
423
|
25.20
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
