|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
YJ
|
79 076
|
2.07
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
SUNTAN
|
8 527
|
1.37
|
|
|
|
MMBTA42 |
|
|
JSCJ
|
168 659
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
RCLAMP3304N.TCT |
|
RailClamp® Low-Capacitance TVS Array, 3.3V,, SLP2626P10
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
RCLAMP3304N.TCT |
|
RailClamp® Low-Capacitance TVS Array, 3.3V,, SLP2626P10
|
SMTC
|
|
|
|
|
|
RCLAMP3304N.TCT |
|
RailClamp® Low-Capacitance TVS Array, 3.3V,, SLP2626P10
|
SEMTECH
|
54
|
|
|
|
|
RCLAMP3304N.TCT |
|
RailClamp® Low-Capacitance TVS Array, 3.3V,, SLP2626P10
|
|
|
183.00
|
|
|
|
RCLAMP3304N.TCT |
|
RailClamp® Low-Capacitance TVS Array, 3.3V,, SLP2626P10
|
SEMTECH CORP
|
180
|
38.41
|
|
|
|
US1ME-TP |
|
|
MCC
|
|
|
|
|
|
US1ME-TP |
|
|
|
|
12.12
|
|
|
|
CDRH104NP-330MC |
|
|
SUMIDA
|
4 552
|
44.17
|
|
|
|
CDRH104NP-330MC |
|
|
|
|
65.44
|
|
|
|
4.7МКФ 63В (5Х11) 105°С |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 мкФ 63В
|
CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
4.7МКФ 63В (5Х11) 105°С |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 мкФ 63В
|
|
|
4.80
|
|
|
|
4.7МКФ 63В (5Х11) 105°С |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 мкФ 63В
|
CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
4.7МКФ 63В (5Х11) 105°С |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 4.7 мкФ 63В
|
|
|
4.80
|
|
|
|
ECAP 100/200V 1632 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ, 200 В, 105С
|
|
|
93.60
|
|
|
|
ECAP 100/200V 1632 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ, 200 В, 105С
|
|
|
93.60
|
|
|
|
ECAP 47/400V 1632 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 400 В, 105С
|
|
|
120.00
|
|
|
|
ECAP 47/400V 1632 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 400 В, 105С
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
ECAP 47/400V 1632 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 400 В, 105С
|
JAM
|
|
|
|
|
|
ECAP 47/400V 1632 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 400 В, 105С
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
ECAP 47/400V 1632 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 400 В, 105С
|
|
|
120.00
|
|
|
|
ECAP 47/400V 1632 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 400 В, 105С
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
ECAP 47/400V 1632 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 400 В, 105С
|
JAM
|
|
|
|
|
|
ECAP 47/400V 1632 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 400 В, 105С
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
SH010M0330B3F-0811 (10V 330UF/8*11/105°) |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 330 мкФ 10 В
|
|
|
|
|
|
|
SH010M0330B3F-0811 (10V 330UF/8*11/105°) |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 330 мкФ 10 В
|
|
|
|
|
|
|
SK035M0100BZF-0611 (35V 100UF/6*11) |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 35 В
|
|
|
|
|
|
|
SK035M0100BZF-0611 (35V 100UF/6*11) |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 100 мкФ 35 В
|
|
|
|
|
|
|
T491C226K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 22 мкФ 16 В
|
KEMET
|
359
|
24.39
|
|
|
|
T491C226K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 22 мкФ 16 В
|
|
|
16.80
|
|
|
|
T491C226K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 22 мкФ 16 В
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
T491C226K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 22 мкФ 16 В
|
KEMET
|
363
|
|
|
|
|
T491C226K016AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 22 мкФ 16 В
|
KEM
|
|
|
|
|
|
74F779D |
|
|
|
|
|
|
|
|
74F779D |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
211
|
|
|
|
|
AD9281ARSZ |
|
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD9281ARSZ |
|
|
|
15
|
1 085.95
|
|
|
|
AD9281ARSZ |
|
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
AD9281ARSZ |
|
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD9281ARSZ |
|
|
ADI
|
30
|
960.86
|
|
|
|
AD9281ARSZ |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
221
|
|
|
|
|
AT24C512BN-SH25-T |
|
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
AT24C512BN-SH25-T |
|
|
ATMEL
|
2
|
38.76
|
|
|
|
AT24C512BN-SH25-T |
|
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
AT24C512BN-SH25-T |
|
|
|
|
204.00
|
|
|
|
AT24C512BN-SH25-T |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
448
|
|
|
|
|
C8051F120-GQR |
|
Микроконтроллер 8ми битный с ядром 8051, 100МГц, ОЗУ 5.26кБ, 2.7 ... 3.6В, I2C, ...
|
SILAB
|
199
|
1 320.38
|
|
|
|
C8051F120-GQR |
|
Микроконтроллер 8ми битный с ядром 8051, 100МГц, ОЗУ 5.26кБ, 2.7 ... 3.6В, I2C, ...
|
SLAB
|
|
|
|