| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
LG016M15K0BPF-2240 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 15 мФ 16 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
LG016M15K0BPF-2240 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 15 мФ 16 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
LM2904PT |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
LM2904PT |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
LM2904PT |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
LM2904PT |
|
|
ROHM
|
|
|
|
|
|
|
LM2904PT |
|
|
|
685
|
55.50
|
|
|
|
|
LM2904PT |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
441
|
|
|
|
|
|
M41T94MH6F |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M41T94MH6F |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
14
|
|
|
|
|
|
M41T94MH6F |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
M41T94MH6F |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
M41T94MH6F |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
94
|
|
|
|
|
|
OPA564AIDWD |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
P6KE200A-E3/54 |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
P6KE200A-E3/54 |
|
|
Vishay/General Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
P6KE200A-E3/54 |
|
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
32
|
|
|
|
|
|
PB5006-E3/45 |
|
|
VISHAY
|
7 700
|
189.79
|
|
|
|
|
PB5006-E3/45 |
|
|
Vishay/General Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
PB5006-E3/45 |
|
|
0.00
|
|
|
|
|
|
 |
REF3130AIDB |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
SFH229FA |
|
|
OSRAM
|
|
|
|
|
|
|
SFH229FA |
|
|
OSRAM Opto Semiconductors Inc
|
|
|
|
|
|
|
SFH229FA |
|
|
|
|
|
|
 |
|
STGP19NC60HD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGP19NC60HD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGP19NC60HD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а
|
|
436
|
223.62
|
|
|
|
|
STGP19NC60HD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 19 а
|
|
436
|
223.62
|
|
|
|
|
STGP19NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 20 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGP19NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 20 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGW30N120KD |
|
Igbt-транзистор на 1200 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGW30N120KD |
|
Igbt-транзистор на 1200 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGW30N120KD |
|
Igbt-транзистор на 1200 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
|
|
|
|
|
|
|
STGW30N120KD |
|
Igbt-транзистор на 1200 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STGW30NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGW30NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGW30NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
|
|
|
|
|
|
|
STGW30NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STGW39NC60VD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 40 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGW39NC60VD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 40 а
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGW39NC60VD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 40 а
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STGW39NC60VD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 40 а
|
|
|
|
|
|
|
|
TL594CNG |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
TL594CNG |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
TOP250R |
|
|
PWR
|
|
|
|
|
|
|
TOP250R |
|
|
|
|
273.52
|
|
|
|
|
TOP250R |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
443
|
|
|
|
|
|
VNQ5050AK-E |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
VNQ5050AK-E |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
VNQ5050AK-E |
|
|
|
|
|
|
