| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
STGP19NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 20 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGW30N120KD |
|
Igbt-транзистор на 1200 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGW30N120KD |
|
Igbt-транзистор на 1200 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGW30N120KD |
|
Igbt-транзистор на 1200 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
|
|
|
|
|
|
|
STGW30N120KD |
|
Igbt-транзистор на 1200 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STGW30NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGW30NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGW30NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
|
|
|
|
|
|
|
STGW30NC60KD |
|
Igbt-транзистор на 600 в, 30 а с усиленной защитой от короткого замыкания
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STGW39NC60VD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 40 а
|
ST MICROELECTRONICS
|
300
|
238.78
|
|
|
|
|
STGW39NC60VD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 40 а
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGW39NC60VD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 40 а
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STGW39NC60VD |
|
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600 в, 40 а
|
|
|
|
|
|
|
|
TL594CNG |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
TL594CNG |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
TOP250R |
|
|
PWR
|
|
|
|
|
|
|
TOP250R |
|
|
|
|
273.52
|
|
|
|
|
TOP250R |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
443
|
|
|
|
|
|
VNQ5050AK-E |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
VNQ5050AK-E |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
VNQ5050AK-E |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
VNQ5050AK-E |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
VNQ5050AK-E |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
648
|
|
|
|
|
|
VNQ5E050AK-E |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
VNQ5E050AK-E |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
VNQ5E050AK-E |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MOD GSM M16 |
|
|
QUECTEL
|
|
|
|
|
|
|
MOD GSM M16 |
|
|
|
|
3 898.84
|
|
|
|
|
KXO-V97 80.0 MHZ |
|
|
GEYER ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
|
KXO-V97 80.0 MHZ |
|
|
|
|
248.00
|
|
|
|
|
KXO-V97 80.0 MHZ |
|
|
GEYER
|
|
|
|
|
|
|
0805-Y5V-22UF +80% -20% 6.3V |
|
Керамический конденсатор 22 мкФ 6.3 В
|
|
|
|
|
|
|
|
0805-Y5V-22UF +80% -20% 6.3V |
|
Керамический конденсатор 22 мкФ 6.3 В
|
|
|
|
|
|
|
|
B32529-100В-0.001МКФ 5% |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 0.001 мкФ 100В
|
|
|
|
|
|
|
|
B32529-100В-0.001МКФ 5% |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 0.001 мкФ 100В
|
|
|
|
|
|
|
|
B32529-100В-0.0047МКФ 5% |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 0.0047 мкФ 100В
|
|
|
|
|
|
|
|
B32529-100В-0.0047МКФ 5% |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 0.0047 мкФ 100В
|
|
|
|
|
|
|
|
B32529-100В-2200ПКФ 5% |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200ПКФ 100В
|
|
|
|
|
|
|
|
B32529-100В-2200ПКФ 5% |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200ПКФ 100В
|
|
|
|
|
|
|
|
B32529-250В-0.01МКФ 5% |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 0.01 мкФ 250В
|
|
|
|
|
|
|
|
B32529-250В-0.01МКФ 5% |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 0.01 мкФ 250В
|
|
|
|
|
|
|
|
B32529-400В-0.0022МКФ 5% |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 0.0022 мкФ 400В
|
|
|
|
|
|
|
|
B32529-400В-0.0022МКФ 5% |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 0.0022 мкФ 400В
|
|
|
|
|
|
|
|
C317C681K2R5CA |
|
Керамический конденсатор
|
|
|
68.00
|
|
|
|
|
C317C681K2R5CA |
|
Керамический конденсатор
|
Kemet
|
|
|
|
|
|
|
T491X686K020AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 68 мкФ 20 В
|
KEMET
|
397
|
160.52
|
|
|
|
|
T491X686K020AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 68 мкФ 20 В
|
|
|
72.00
|
|
|
|
|
T491X686K020AT |
|
Электролитический танталовый конденсатор 68 мкФ 20 В
|
ПОРТУГАЛИЯ
|
|
|
|
|
|
|
25AA160A-I/SN |
|
ИМС EEPROM SPI
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
25AA160A-I/SN |
|
ИМС EEPROM SPI
|
|
|
74.00
|
|
