|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N5819RL |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
1N5819RL |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
1N5819RLG |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819RLG |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
6 888
|
|
|
|
|
1N5819RLG |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N5819RLG |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
|
|
|
|
|
|
1N5819T/B |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N5819TP |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N5819TR |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N5819TR |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
2SB861 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 200/150V, 2A, 30W
|
HITACHI
|
|
|
|
|
|
2SB861 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 200/150V, 2A, 30W
|
HIT
|
|
|
|
|
|
2SB861 |
|
Биполярный транзистор Si-P, 200/150V, 2A, 30W
|
|
1
|
96.00
|
|
|
|
2A2318 (КИТАЙ) |
|
Теплопроводная подложка в листах, может заменить термопасту КПТ 8
|
|
23 600
|
1.50
|
|
|
|
2A2318 ПОД ТО 218/ТО 247 |
|
Теплопроводная подложка в листах, может заменить термопасту КПТ 8
|
|
|
|
|
|
|
2А2318 |
|
Теплопроводная подложка в листах, может заменить термопасту КПТ 8
|
НОМАКОН
|
|
|
|
|
|
2А2318 |
|
Теплопроводная подложка в листах, может заменить термопасту КПТ 8
|
|
|
|
|
|
|
ПОДЛОЖКА 2А2318_О [ТО218] |
|
Теплопроводная подложка в листах, может заменить термопасту КПТ 8
|
НОМАКОН
|
|
|
|
|
|
ПОДЛОЖКА 2А2318_О [ТО218] |
|
Теплопроводная подложка в листах, может заменить термопасту КПТ 8
|
|
|
|
|
|
|
ПОДЛОЖКА 2А2318_О [ТО218] |
|
Теплопроводная подложка в листах, может заменить термопасту КПТ 8
|
|
|
|
|
|
|
ПОДЛОЖКА 2А2318_О[ТО218] |
|
Теплопроводная подложка в листах, может заменить термопасту КПТ 8
|
НОМАКОН
|
|
|
|
|
|
ПОДЛОЖКА 2К2318 (2А2318)) (ДЛЯ ТО-218 |
|
Теплопроводная подложка в листах, может заменить термопасту КПТ 8
|
RUS
|
|
|
|
|
|
ПОДЛОЖКА 2К2318 (2А2318)) (ДЛЯ ТО-218 |
|
Теплопроводная подложка в листах, может заменить термопасту КПТ 8
|
НОМАКОН
|
|
|
|
|
|
ПОДЛОЖКА 2К2318 (2А2318)) (ДЛЯ ТО-218 2 |
|
Теплопроводная подложка в листах, может заменить термопасту КПТ 8
|
RUS
|
|
|
|
|
|
ПОДЛОЖКА 2К2318 (2А2318)) (ДЛЯ ТО-218 2 |
|
Теплопроводная подложка в листах, может заменить термопасту КПТ 8
|
НОМАКОН
|
|
|
|
|
|
ПРОКЛАДКА НОМАКОН 2А2318 (ТО218, ТО247) С ОТВ. |
|
Теплопроводная подложка в листах, может заменить термопасту КПТ 8
|
|
|
13.60
|
|
|
|
ПРОКЛАДКА НОМАКОН 2А2318 (ТО218.ТО247) |
|
Теплопроводная подложка в листах, может заменить термопасту КПТ 8
|
|
|
6.72
|
|
|
|
ATTINY12L-4SU |
|
Микросхема AVR ISP-МКПРОЦЕССОР 1K FLASH
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
ATTINY12L-4SU |
|
Микросхема AVR ISP-МКПРОЦЕССОР 1K FLASH
|
|
|
79.92
|
|
|
|
ATTINY12L-4SU |
|
Микросхема AVR ISP-МКПРОЦЕССОР 1K FLASH
|
США
|
|
|
|
|
|
ATTINY12L-4SU |
|
Микросхема AVR ISP-МКПРОЦЕССОР 1K FLASH
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ATTINY12L-4SU |
|
Микросхема AVR ISP-МКПРОЦЕССОР 1K FLASH
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
ATTINY12L-4SU |
|
Микросхема AVR ISP-МКПРОЦЕССОР 1K FLASH
|
MICRO CHIP
|
1
|
152.46
|
|
|
|
ATTINY12L-4SU |
|
Микросхема AVR ISP-МКПРОЦЕССОР 1K FLASH
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
143
|
|
|
|
|
B32921C3103K |
|
Пленочный конденсатор
|
EPCOS
|
|
|
|
|
|
B32921C3103K |
|
Пленочный конденсатор
|
|
|
20.60
|
|
|
|
B32921C3103K |
|
Пленочный конденсатор
|
EPCOS
|
|
|
|
|
|
B32921C3103K |
|
Пленочный конденсатор
|
|
|
20.60
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NXP
|
16 000
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
PHILIPS
|
28 085
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
|
1 788
|
2.39
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
WUXI XUYANG
|
8 560
|
1.41
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
SEMTECH
|
78
|
1.88
|
|
|
|
BAS32L |
|
Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )
|
HOTTECH
|
29 249
|
1.01
|
|