| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
ADG1411YRUZ |
|
Счетверённый аналоговый коммутатор, Кол. вх/вых 4, Vсс,В ±5V, 12V, ±15V, rDS(on),Ом ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
ADG1411YRUZ |
|
Счетверённый аналоговый коммутатор, Кол. вх/вых 4, Vсс,В ±5V, 12V, ±15V, rDS(on),Ом ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
ADG1411YRUZ |
|
Счетверённый аналоговый коммутатор, Кол. вх/вых 4, Vсс,В ±5V, 12V, ±15V, rDS(on),Ом ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
290
|
|
|
|
|
|
ADG1413YRUZ |
|
|
|
|
696.00
|
|
|
|
|
ADG1413YRUZ |
|
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
ADG1413YRUZ |
|
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
ADG1413YRUZ |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
208
|
|
|
 |
 |
HCPL-263N |
|
Оптрон 10 мбод cmos совместимый
|
|
|
600.00
|
|
|
|
|
HCPL-263N |
|
Оптрон 10 мбод cmos совместимый
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
|
HCPL-263N |
|
Оптрон 10 мбод cmos совместимый
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
276
|
|
|
|
|
|
IDT71V416L10PHG |
|
Статическая память (SRAM) (4M (256k x 16 bit), V=3 to 3.6V, 10ns, T=0 to 70C)
|
|
|
1 360.00
|
|
|
|
|
IDT71V416L10PHG |
|
Статическая память (SRAM) (4M (256k x 16 bit), V=3 to 3.6V, 10ns, T=0 to 70C)
|
IDT, Integrated Device Technology Inc
|
|
|
|
|
|
|
IDT71V416L10PHG |
|
Статическая память (SRAM) (4M (256k x 16 bit), V=3 to 3.6V, 10ns, T=0 to 70C)
|
IDT
|
|
|
|
|
|
|
IDT71V416L10PHG |
|
Статическая память (SRAM) (4M (256k x 16 bit), V=3 to 3.6V, 10ns, T=0 to 70C)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
540
|
|
|
|
|
|
IDT7203L50TP |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IDT7203L50TP |
|
|
IDT, Integrated Device Technology Inc
|
|
|
|
|
|
|
IDT7203L50TP |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
744
|
|
|
|
|
|
MC74HC02ANG |
|
|
|
|
76.00
|
|
|
|
|
MC74HC02ANG |
|
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
MC74HC02ANG |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC74HC02ANG |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
777
|
|
|
|
|
|
MRF24J40-I/ML |
|
ИМС RF трансивер
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
MRF24J40-I/ML |
|
ИМС RF трансивер
|
|
|
1 120.00
|
|
|
|
|
MRF24J40-I/ML |
|
ИМС RF трансивер
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
MRF24J40-I/ML |
|
ИМС RF трансивер
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
MRF24J40-I/ML |
|
ИМС RF трансивер
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
704
|
|
|
|
|
|
AM1D-0505SH60-NZ |
|
DC/DC преобразователь мощностью 1 Вт, вход 5В±10%, выход 5В 200мА, изоляция 6кВ
|
|
|
760.00
|
|
|
|
|
AM1D-0505SH60-NZ |
|
DC/DC преобразователь мощностью 1 Вт, вход 5В±10%, выход 5В 200мА, изоляция 6кВ
|
AIMTEC
|
|
|
|
|
|
|
3296W-1-102 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
|
3296W-1-102 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``
|
|
|
36.00
|
|
|
|
|
3296W-1-102 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
|
3296W-1-102 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
3296W-1-102 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``
|
BOURNS
|
132
|
|
|
|
|
|
3296W-1-102 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
|
3296W-1-102 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
3296W-1-102 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``
|
BOCHEN
|
5 018
|
9.74
|
|
|
|
|
845HN-1A-C 12VDC |
|
|
|
|
220.00
|
|
|
|
|
845HN-1A-C 12VDC |
|
|
SONGCHU
|
|
|
|
|
|
|
FYL-5013BGC-TL G |
|
|
FORYARD
|
|
|
|
|
|
|
FYL-5013BGC-TL G |
|
|
|
|
30.60
|
|
|
|
|
TFT AV AT717C-V2.0 |
|
|
|
|
3 260.00
|
|
|
|
|
1000МКФ 100В (16X35) 105°C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 100В
|
|
|
285.48
|
|
|
|
|
1000МКФ 100В (16X35) 105°C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 100В
|
|
|
285.48
|
|
|
|
|
74AC27N |
|
|
|
|
64.00
|
|
|
|
|
74AC27N |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
191
|
|
|
|
|
|
AD5317BRU |
|
|
|
|
952.00
|
|
|
|
|
AD5317BRU |
|
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
AD5317BRU |
|
|
ANALOG DEVICES
|
36
|
735.00
|
|
|
|
|
AD5317BRU |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
192
|
|
|
|
|
|
REF3318AIDCKT |
|
|
|
|
224.00
|
|
