| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
1N4735A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 6.2 V
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
|
1N4735A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 6.2 V
|
NXP
|
38
|
|
|
|
|
|
1N4735A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 6.2 V
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
|
1N4735A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 6.2 V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
1N4735A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 6.2 V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
1N4735A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 6.2 V
|
PHILIPS
|
652
|
|
|
|
|
|
1N4735A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 6.2 V
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
1N4735A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 6.2 V
|
MOTOROLA
|
40
|
|
|
|
|
|
1N4735A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 6.2 V
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
|
1N4735A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 6.2 V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
1N4735A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 6.2 V
|
КИТАЙ
|
800
|
9.83
|
|
|
|
|
1N4735A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 6.2 V
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
|
1N4735A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 6.2 V
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
1N4735A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 6.2 V
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
|
1N4735A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 6.2 V
|
SUNTAN
|
1 160
|
2.58
|
|
|
|
|
1N4735A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 6.2 V
|
ST MICROELECTRONICS
|
776
|
1.80
|
|
|
|
 |
1N5232A |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
1N5232A |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
1N6069A |
|
|
NEW JERSEY SEMI
|
|
|
|
|
|
|
1N6069A |
|
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
|
1SMA5921BT3 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1SMA5921BT3 |
|
|
|
|
19.20
|
|
|
|
|
1SMA5921BT3 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1SMB30AT3G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1SMB30AT3G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
1SMB30AT3G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
70
|
|
|
|
|
|
1SMB30AT3G |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1SMB30AT3G |
|
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
|
25LC640-I/SN |
|
Последовательная память EEPROM (64K, 8Kx8 bit, 10 M циклов, SPI interface, 2.0MHz@5V, ...
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
25LC640-I/SN |
|
Последовательная память EEPROM (64K, 8Kx8 bit, 10 M циклов, SPI interface, 2.0MHz@5V, ...
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
25LC640-I/SN |
|
Последовательная память EEPROM (64K, 8Kx8 bit, 10 M циклов, SPI interface, 2.0MHz@5V, ...
|
|
|
89.36
|
|
|
|
|
25LC640-I/SN |
|
Последовательная память EEPROM (64K, 8Kx8 bit, 10 M циклов, SPI interface, 2.0MHz@5V, ...
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
25LC640-I/SN |
|
Последовательная память EEPROM (64K, 8Kx8 bit, 10 M циклов, SPI interface, 2.0MHz@5V, ...
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
25LC640-I/SN |
|
Последовательная память EEPROM (64K, 8Kx8 bit, 10 M циклов, SPI interface, 2.0MHz@5V, ...
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
25LC640-I/SN |
|
Последовательная память EEPROM (64K, 8Kx8 bit, 10 M циклов, SPI interface, 2.0MHz@5V, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
194
|
|
|
|
|
|
2N3715 |
|
Транзистор биполярный большой мощности
|
|
|
164.60
|
|
|
|
|
2N3715 |
|
Транзистор биполярный большой мощности
|
CENTRAL SEMI
|
|
|
|
|
|
|
2N3715 |
|
Транзистор биполярный большой мощности
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
2N3715 |
|
Транзистор биполярный большой мощности
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
2N6341 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
2N6341 |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
2N6341 |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
3306F-1-104РЕЗ.ПОДСТР.100КОМ |
|
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
60EPU06PBF |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
60EPU06PBF |
|
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
60EPU06PBF |
|
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
|
625-25ABT4 |
|
|
WAKEFIELD
|
|
|
|
|
|
|
625-25ABT4 |
|
|
Wakefield Thermal Solutions
|
|
|
|
|
|
|
7447070100UH5000MA |
|
|
WUERTH
|
|
|
|
|
|
|
7447070100UH5000MA |
|
|
WURTH ELECTRONICS
|
|
|
|
