|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
LM79L12ACM |
|
|
|
|
23.60
|
|
|
|
LM79L12ACM |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
10
|
|
|
|
|
LM79L12ACM |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM79L12ACM |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
54
|
|
|
|
|
LM809M3-2.45 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM809M3-2.45 |
|
|
|
|
27.92
|
|
|
|
LM809M3-2.45 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
231
|
|
|
|
|
LM809M3-2.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM809M3-2.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
356
|
|
|
|
|
LM809M3-2.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
|
|
41.80
|
|
|
|
LM809M3-2.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM809M3-2.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
США
|
|
|
|
|
|
LM809M3-2.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
LM809M3-2.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM809M3-2.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM809M3-2.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
170
|
|
|
|
|
LM809M3-2.93 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.93V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM809M3-2.93 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.93V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM809M3-2.93 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.93V +/-3%, t=240ms (typ))
|
|
|
41.96
|
|
|
|
LM809M3-2.93 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.93V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM809M3-2.93 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.93V +/-3%, t=240ms (typ))
|
США
|
|
|
|
|
|
LM809M3-2.93 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.93V +/-3%, t=240ms (typ))
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
LM809M3-2.93 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.93V +/-3%, t=240ms (typ))
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM809M3-2.93 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=2.93V +/-3%, t=240ms (typ))
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
584
|
|
|
|
|
LM809M3-4.00 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.00V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.00 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.00V +/-3%, t=240ms (typ))
|
|
|
37.84
|
|
|
|
LM809M3-4.00 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.00V +/-3%, t=240ms (typ))
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
486
|
|
|
|
|
LM809M3-4.38 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.38V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.38 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.38V +/-3%, t=240ms (typ))
|
|
|
42.76
|
|
|
|
LM809M3-4.38 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.38V +/-3%, t=240ms (typ))
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
168
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
|
|
42.12
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
США
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
52
|
|
|
|
|
LM809M3-4.63 |
|
Схема сброса (инв. выход ``push-pull``, Vth=4.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
666
|
|
|
|
|
LM810M3-2.63 |
|
Схема сброса (неинв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM810M3-2.63 |
|
Схема сброса (неинв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
|
|
39.48
|
|
|
|
LM810M3-2.63 |
|
Схема сброса (неинв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM810M3-2.63 |
|
Схема сброса (неинв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LM810M3-2.63 |
|
Схема сброса (неинв. выход ``push-pull``, Vth=2.63V +/-3%, t=240ms (typ))
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
170
|
|
|
|
|
LM810M3-2.93 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM810M3-2.93 |
|
|
|
|
39.48
|
|
|
|
LM810M3-2.93 |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM810M3-2.93 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
536
|
|
|
|
|
LM810M3-3.08 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM810M3-3.08 |
|
|
|
|
39.48
|
|
|
|
LM810M3-3.08 |
|
|
NSC
|
|
|
|