zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход
18 Сентябрь 2017

            ISO1211 и ISO1212 –  интегральные схемы для реализации 24 В дискретных входов (по IEC 61131-2 тип 1, 2 и 3 ГОСТ 61131-2) с индивидуальной гальванической развязкой. При помощи ISO1211 можно реализовать один компактный изолированный дискретный вход с защитой на одной микросхеме, а при помощи ISO1212  два входа на одной микросхеме.
           Обычно дискретные входы строятся на пассивных компонентах, использующих в качестве развязки, как правило, оптрон. Это простой подход с низкой стоимостью, однако обладает рядом минусов: большые размеры, высокая рассеиваемая мощность, низкая скорость срабатывания. ISO1211 или ISO1212 применяемые для реализации данного решения позволяют построить низкопотребляющий малогабаритный канал со скоростью до 4 Мбит в секунду.  
           Интегральные схемы ISO1211 и ISO1212 используются без гальванически развязанного DC/DC преобразователя, получая питание со стороны цифровой части в пределах 2.25В…5.5В. Микросхемы имеют встроенную защиту от переполюсовки и превышения напряжения в диапазоне ±60В. Гальванический барьер имеет значение изоляции 2,5кВ среднеквадратичного значения в течение одной минуты (UL 1577).
ISO1211 – изготавливается в корпусе SOIC8 (4.90 мм × 3.91 мм), ISO1212 – в корпусе  SSOP16 (4.90 мм × 3.90 мм).

11 Апрель 2024

          Омский НИИ приборостроения расширил возможности своего производства печтаных плат до 2500 кв. м. В год двухсторонних и 500 кв. м многослойных плат в год. Новое оборудование позволяет выпускать платы до четвертого ( с элементами пятого) класса точности, с контролем качества установкой электроконтроля и автоматической оптической инспекцией.

»»»
25 Март 2024

          Входящий в состав ГК «Элемент» российский производитель «Микрон» запустил производственные линии по сборке микросхем в пластиковые корпуса и сборке чип-модулей. Это дает возможность выпуска более 40 видов изделий для очень широкого спектра как промышленной таки потребительской электроники. Проект реализован при поддержке ФПР и ВЭБ.

»»»
07 Март 2024

          В Российской федерации объявили о создании технологии позволяющей использовать мемристорную память формата RRAM, перспективную для производства экономичных и быстрых типов памяти, обладающих скоростными характеристиками оперативной памяти и энергонезависимостью флешки. Инженеры НЦФМ предложили располагать мемристоры на верхних слоях обычных чипов, что позволило сочетать традиционную технологию на основе кремния и передовые исследования в области хранения информации.

»»»
01 Март 2024

          На мировом рынке экспорта электроники набирает обороты новая тенденция — Индия расширяет долю рынка, так к ноябрю 2023 годва поставки в США выросли с 2,51 до 7,65% относительно Китайского объема поставок, в Великобританию с 4.79 до 10%. Власти страны привлекают производителей электроники с помощью различных стимулирующих мер в надежде расширить свою промышленность и увеличить экспорт.

»»»