BAV70.215

Версия для печати

Технические характеристики BAV70.215

Производитель	NXP
Количество в упаковке	3000 шт.
Вес	0.029 г
Bag Type	75 В
Tape Width - Max	2CC x 0.215 А
Bushing Thread	4 нс
Число шагов	1.25 В
Technology	2 (общий катод)
Корпус (размер)	SOT23

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
B3B-PH-K-S (LF)(SN)		JST
BC857.215		NXP
BC857.215		NEX-NXP
BC857.215			10	3.72
BFS17A	Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...	NXP
BFS17A	Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...	PHILIPS
BFS17A	Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...	INFINEON
BFS17A	Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...			10.84
BFS17A	Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...	NXP	230
BFS17A	Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...	PHILIPS	92
BFS17A	Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...	КИТАЙ
MMBFJ177LT1G		ON Semiconductor
MMBFJ177LT1G		ONS	1	18.43
MMBFJ177LT1G		ON SEMICONDUCTOR
MMBFJ177LT1G
MMBFJ177LT1G		KLS
SMAJ10A			18 080	2.10
SMAJ10A		DC COMPONENTS	227	9.93
SMAJ10A		MULTICOMP
SMAJ10A		LITTELFUSE
SMAJ10A		LITTELFUSE	388
SMAJ10A		Bourns Inc
SMAJ10A		Littelfuse Inc
SMAJ10A		LTL
SMAJ10A		BOURNS
SMAJ10A		TSC
SMAJ10A		JJM	864	2.92
SMAJ10A		KLS
SMAJ10A		YJ	8 848	2.20
SMAJ10A		SET	4 000	2.13
SMAJ10A		HOTTECH	1 280	3.10
SMAJ10A		KEEN SIDE	6 212	2.08
SMAJ10A		YANGJIE	245 559	1.20
SMAJ10A		SY	3 080	2.12