BU508DF

Мощный высоковольтный NPN транзистор со встроенным демпферным диодом в изолированном корпусе. Применяется в блоках горизонтальной развертки и импульсных блоках питания телевизоров.
Основные параметры транзистора BU508DF:
Uкэ(max)  Uбэ=0 1500V
Uкэ(max)  Iб=0 700V
Iк(max) 8AIк.имп(max) 15A
Iб(max) 4APрасс.(max) 34W
Iкэ.нас. (Iк=4,5А) < 1V
Hfe 6..30
Fгр 7MHz
Cк 125pF
Время выключения 0,7µS
Uпрям.диода < 2V
Корпус SOT-199(TOP-3Fa)
Диапазон температур -65..+150°C
Аналог КТ872Г1