74AC74N (IN74AC74N)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BNC-S59P	Вилка кабельная под пайку до 4ГГц, до 1500В, 0.2мОм	BM
BNC-S59P	Вилка кабельная под пайку до 4ГГц, до 1500В, 0.2мОм		520	48.89
BNC-S59P	Вилка кабельная под пайку до 4ГГц, до 1500В, 0.2мОм	RUICHI	5	152.26
BS170	Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FAI/QTC
BS170	Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FAIR
BS170	Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ON SEMICONDUCTOR
BS170	Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FSC
BS170	Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт		24	20.80
BS170	Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FAIRCHILD	8	7.50
BS170	Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FAIRCHILD	5
BS170	Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ON SEMICONDUCTOR
BS170	Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	OTHER	266
BS170	Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	Fairchild Semiconductor
BS170	Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ФИЛИППИНЫ
BS170	Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ON SEMIC
BS170	Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ONS
BS170	Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ONS-FAIR	16	19.99
К555ТМ2	Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 D-триггера		400	31.62
К555ТМ2	Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 D-триггера	МЕЗОН	240	59.93
К555ТМ2	Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 D-триггера	ВОРОНЕЖ
К555ТМ2	Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 D-триггера	RUS
К555ТМ2	Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 D-триггера	АЗОН
К555ТМ2	Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 D-триггера	МИКРОН
К555ТМ2	Время задержки 10 нс, мощность потребления 2 мВт/вентиль 2 D-триггера	РОССИЯ
КД213А	Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс		854	93.00
КД213А	Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс	ТАШКЕНТ
КД213А	Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс	ФОТОН	202	186.00
КД213А	Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс	RUS
КД213А	Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
КД213А	Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс	СЗТП
КД213А	Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс	РОССИЯ
КД213А	Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс	140
КД213А	Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс	369
КП307Е1				16.80
КП307Е1		АЛЕКСАНДРОВ