3И306К
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2Т326Б | 32 | 110.09 | |||||
|
|
2Т326Б | АЛЕКСАНДРОВ | 16 | 186.00 | ||||
|
|
2Т326Б | ЭЛЕКС | 2 | 194.00 | ||||
|
|
2Т326Б | РИГА |
|
|
||||
|
|
2Т326Б | RUS |
|
|
||||
|
|
2Т326Б | АЛЕКСАНДР |
|
|
||||
|
|
2Т326Б | АЛЕКСАНДРОВСК |
|
|
||||
|
|
2Т326Б | ДАЛЕКС | 44 | 247.97 | ||||
| 2Т355А |
|
141.40 | ||||||
| 2Т355А | СВЕТЛАНА |
|
|
|||||
| 3И306Ж | 1 639 | 35.14 | ||||||
| 3И306Ж | СТАРТ | 1 899 | 14.88 | |||||
| 3И306Ж | 10 |
|
|
|||||
| 3И306Ж | 207 |
|
|
|||||
| 3И306Ж | 357 |
|
|
|||||
| 3И306Ж | 4 |
|
|
|||||
| 3И306Ж | 704 |
|
|
|||||
| 3И306Ж | 716 |
|
|
|||||
 |
 |
STM32F100C8T6B |
|
ST MICROELECTRONICS | 496 | 226.31 | ||
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
|
|
|||
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
STMicroelectronics |
|
|
||
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
МАЛАЙЗИЯ |
|
|
||
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
||
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
ST MICROELECTRO |
|
|
||
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
STMICROELECTR |
|
|
||
|
|
|
STM32F100C8T6B |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 516 |
|
||
 |
|
П210А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный | 3 | 325.08 | ||
|
|
|
П210А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный | ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ |
|
|
|
|
|
|
П210А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный | КВАЗАР |
|
|
|
|
|
|
П210А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный | ФОТОН |
|
|
