| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
1Т115Б |
|
|
|
|
17.28
|
|
|
|
|
1Т115Б |
|
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
ГТ108Б |
|
|
|
|
12.00
|
|
|
|
|
ГТ108Б |
|
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
|
ГТ108Б |
|
|
КВАЗАР
|
|
|
|
|
|
|
КП505Б |
|
|
|
670
|
16.56
|
|
|
|
|
КП505Б |
|
|
МИНСК
|
3 727
|
29.76
|
|
|
|
|
КП505Б |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КП505Б |
|
|
170
|
|
|
|
|
|
|
КП505Б |
|
|
4509
|
|
|
|
 |
 |
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
44
|
46.85
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
222
|
75.60
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
30
|
96.09
|
|
|
|
|
КТ940Б |
|
|
|
231
|
49.14
|
|
|
|
|
КТ940Б |
|
|
КРЕМНИЙ
|
400
|
31.23
|
|
|
|
|
КТ940Б |
|
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ940Б |
|
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ940Б |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ940Б |
|
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ940Б |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ940Б |
|
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ940Б |
|
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
7
|
6.98
|
|
|
|
|
КТ940Б |
|
|
9
|
|
|
|
|
|
|
КТ940Б |
|
|
ВОРОНЕЖ
|
383
|
14.88
|
|
Версия для печати
