| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
BAS16LT1G |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAS16LT1G |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)
|
ONS
|
735
|
2.52
|
|
|
|
|
BAS16LT1G |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
1 070
|
|
|
|
|
|
BAS16LT1G |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
BAS16LT1G |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
BAS16LT1G |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BAS16LT1G |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)
|
|
|
|
|
|
|
|
BAS16LT1G |
|
Импульсный диод (Vr=75V, If=200mA, P=300mW, Ts=-55.150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAT54S.215 |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NXP
|
742
|
1.86
|
|
|
|
BAT54S.215 |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
|
|
|
|
|
|
BAT54S.215 |
|
2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
|
MI1206K601R-10 |
|
|
STEWARD
|
|
|
|
|
|
|
MI1206K601R-10 |
|
|
Laird-Signal Integrity Products
|
|
|
|
|
|
|
MI1206K601R-10 |
|
|
STEWARD
|
|
|
|
|
|
|
MI1206K601R-10 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MI1206K601R-10 |
|
|
LAIRD
|
|
|
|
|
|
|
MI1206K601R-10 |
|
|
LAIRD TECHNOLOGIES
|
239
|
7.50
|
|
|
|
|
RC0805FR-0733KL |
|
|
YAGEO
|
27 687
|
1.03
|
|
|
|
|
RC0805FR-0733KL |
|
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
RC0805FR-0733KL |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ЧИП 1206-47 КОМ-5% |
|
|
|
1 334
|
2.52
|
|