| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
VISHAY
|
800
|
10.93
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
|
8 000
|
1.32
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
MOTOROLA
|
4
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
YJ
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
CTK
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
KEEN SIDE
|
15 852
|
1.28
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
19 633
|
1.86
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
208
|
1.60
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
37 622
|
2.87
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
604
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
8
|
3.14
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
104
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
1 920
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
2 593
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
21
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
32 158
|
1.10
>100 шт. 0.55
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
5 216
|
1.38
>500 шт. 0.46
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
33 600
|
1.18
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
28 531
|
2.76
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
48 736
|
3.03
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
1
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
1 123
|
1.34
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
XXW
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KEEN SIDE
|
49 844
|
1.22
>100 шт. 0.61
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
14
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
6500
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ELZET
|
67 200
|
1.29
>500 шт. 0.43
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
RUME
|
48 000
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TRR
|
60 000
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
DC COMPONENTS
|
34 712
|
7.63
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
|
11 125
|
1.84
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
MIC
|
1 136
|
1.88
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
KLS
|
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
KOME
|
740
|
3.30
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
1
|
|
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
SUNTAN
|
70
|
2.99
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
KEEN SIDE
|
5 714
|
1.59
|
|
|
|
DL4742A |
|
Стабилитрон SMD 1 Вт, 12 V
|
ASEMI
|
2 841
|
2.58
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
|
36
|
55.80
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRFD110 |
|
Транзистор полевой
|
SILICONIX
|
28
|
|
|
|
|
|
WF-06M |
|
|
|
52
|
3.64
|
|