| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
2SC3298 |
|
Биполярный транзистор S-N 160В 1.5A TO220
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
|
2SC3298 |
|
Биполярный транзистор S-N 160В 1.5A TO220
|
|
3
|
139.50
|
|
|
|
|
2SC3298 |
|
Биполярный транзистор S-N 160В 1.5A TO220
|
TOS
|
|
|
|
|
|
|
2SC3298 |
|
Биполярный транзистор S-N 160В 1.5A TO220
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
2SC3298 |
|
Биполярный транзистор S-N 160В 1.5A TO220
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
3006P-1-501 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
3006P-1-501 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
3006P-1-501 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
|
3006P-1-501 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
|
11
|
32.00
|
|
|
|
|
3006P-1-501 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
|
3006P-1-501 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
ETD34 BBN КАРКАС ГОРИЗ.7+7ВЫВ. |
|
|
SHINHOM
|
|
|
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
439
|
9.30
|
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
SGS
|
|
|
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
ST MICROELECTRONICS
|
800
|
27.33
|
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
|
226
|
22.32
|
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
ПЛАНЕТА
|
26
|
27.33
|
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
MOTOROLA
|
35
|
|
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
ON SEMICONDUCTOR
|
12
|
|
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
PHILIPS
|
32
|
|
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
SGS THOMSON
|
12
|
|
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
IDCHIP
|
|
|
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
678
|
|
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
5
|
|
|
|
|
|
|
LM393D |
|
Компаpатоp сдвоенный, серия 193
|
839
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
|
383
|
26.04
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
65.59
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
БРЯНСК
|
74
|
31.99
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЕКТРОНПРИБОР
|
400
|
53.09
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭДЬТАВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЬТАВ
|
396
|
14.88
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
97
|
12.16
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
14
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
151
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
179
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
260
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
342
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
376
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
122
|
|
|
|
Версия для печати
