| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
0603-5.6КF |
|
|
FAITHFUL LINK
|
|
|
|
|
|
|
0603-5.6КF |
|
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 600
|
2.92
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
198 456
|
2.70
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
13 074
|
5.50
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
1
|
4.11
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
40
|
3.10
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
16 721
|
5.58
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KEEN SIDE
|
8 812
|
2.46
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
2386
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KEXIN
|
7 200
|
2.94
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
RUME
|
91 200
|
3.30
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-1.8 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-1.8 |
|
|
|
|
100.00
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-1.8 |
|
|
NSC
|
1
|
67.53
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-1.8 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-1.8 |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-1.8 |
|
|
NS
|
|
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-1.8 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-2.8 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-2.8 |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-2.8 |
|
|
|
|
66.12
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-2.8 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-2.8 |
|
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-2.8 |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
28
|
115.78
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-2.8 |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-2.8 |
|
|
NS
|
142
|
55.80
|
|
|
|
|
LP2985AIM5-2.8 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
|
|
327.16
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
REF196GSZ |
|
ИОН на 3.3В +10мВ 10ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C, RoHS
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|