HEF4093BP

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
HEF4093BP	95	74.40

Версия для печати

Технические характеристики HEF4093BP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

HEF4093B

Quadruple 2-input NAND Schmitt trigger

Также в этом файле: HEF4093BPB

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

HEF4093BP datasheet
79.2Kb
6стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC1815BL	Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	TOSHIBA
2SC1815BL	Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz
2SC1815BL	Биполярный транзистор NPN 50V, 150mA, 400mW, 80MHz	TOS
BLD-2.0-20ТИП2001КОМПЛЕКТ		HSUAN MAO
CD4081BE	(КР1561ЛИ2) PDIP14	TEXAS INSTRUMENTS
CD4081BE	(КР1561ЛИ2) PDIP14	ST MICROELECTRONICS
CD4081BE	(КР1561ЛИ2) PDIP14		4	50.00
CD4081BE	(КР1561ЛИ2) PDIP14	TEXAS	963	115.18
CD4081BE	(КР1561ЛИ2) PDIP14	TEXAS INSTRUMENTS	29
CD4081BE	(КР1561ЛИ2) PDIP14	TEXAS INSTRUMEN
CD4081BE	(КР1561ЛИ2) PDIP14	4-7 НЕДЕЛЬ
IRFP260N	Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	238.14
IRFP260N	Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W			164.16
IRFP260N	Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W	МЕКСИКА
IRFP260N	Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP260N	Транзистор полевой N-MOS 200V, 49A, 300W	INFINEON
КТ 3107 Б	Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	RUS