Версия для печати
Технические характеристики C8051F410-GQR

Производитель	Silicon Laboratories Inc.
Количество в упаковке	500 шт.
Вес	0.513 г
Архитектура	8051
Flash	32K byte
RAM	2.25K byte
Напряжение питания	CORE: 2…5.25 В, IO: 2…5.25 В
АЦП	20 x 12bit (200SPS)
ЦАП	2 x 12bit
Сторожевой таймер	есть
Часы реального времени	есть
Универсальный последовательный порт	1 шт
Корпус (размер)	LQFP32
Рабочая температура	-40...85 °C

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		CD4049UBE		Стандартная логика HEX INVERTING BUFFER -55/+125 C	ST MICROELECTRONICS
		CD4049UBE		Стандартная логика HEX INVERTING BUFFER -55/+125 C	TEXAS INSTRUMENTS	801	37.48
		CD4049UBE		Стандартная логика HEX INVERTING BUFFER -55/+125 C	RCA
		CD4049UBE		Стандартная логика HEX INVERTING BUFFER -55/+125 C			40.00
		CD4049UBE		Стандартная логика HEX INVERTING BUFFER -55/+125 C	TEXAS INSTRUMENTS
		CD4049UBE		Стандартная логика HEX INVERTING BUFFER -55/+125 C	TEXAS	546	80.16
		CD4049UBE		Стандартная логика HEX INVERTING BUFFER -55/+125 C	TEXAS INSTRUMEN
		CD4049UBE		Стандартная логика HEX INVERTING BUFFER -55/+125 C	4-7 НЕДЕЛЬ	76
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А		40 600	2.92
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	КИТАЙ
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HOTTECH	285 928	2.68
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INFINEON
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HUASHUO	13 074	8.07
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KLS
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	YOUTAI	1	3.99
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	UMW	40	3.10
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	SUNTAN	12 424	5.48
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KEEN SIDE	8 812	2.29
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	2386
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KEXIN	7 200	2.91
		IRLML6401		Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	RUME	91 200	3.28
		PLASTIK 400ML			CRAMOLIN
		SN74AHC1G14DBVR				24	60.80
		SN74AHC1G14DBVR			TEXAS INSTRUMENTS	1 575	5.19
		SN74AHC1G14DBVR			TEXAS INSTRUMENTS	4 065
		SN74AHC1G14DBVR			КИТАЙ
		SN74AHC1G14DBVR			TEXAS
		SN74AHC1G14DBVR			TEXAS INSTRUMEN
		SN74AHC1G14DBVR			4-7 НЕДЕЛЬ	183
		КД522Б		Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ		4 098	6.26
		КД522Б		Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ	БРЕСТ	1 520	17.56
		КД522Б		Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ	САРАНСК
		КД522Б		Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ		4 098	6.26
		КД522Б		Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ	П/П 1
		КД522Б		Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ	ИНТЕГРАЛ
		КД522Б		Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ	МИНСК
		КД522Б		Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ	RUS
		КД522Б		Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ	ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
		КД522Б		Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ	СЗТП	26	16.40
		КД522Б		Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ	ОРБИТА
		КД522Б		Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ	ЦВЕТОТРОН
		КД522Б		Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КД522Б		Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ	ЦВЕТОТРОН (БРЕСТ)
		КД522Б		Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ	РОССИЯ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"