MMBTA05

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MMBTA05 (YOUTAI)	12 000	2.05

Версия для печати

Технические характеристики MMBTA05

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 100mA, 1V
Power - Max	350mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23
Product Change Notification	Mold Compound Change 12/Dec/2007

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MMBTA05

Npn (driver Transistor)

Производитель:
Samsung semiconductor
//www.samsung.com

MMBTA05 datasheet
30.61Kb
1стр.