2N7002WT1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
2N7002WT1G (ON SEMICONDUCTOR.)	666	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики 2N7002WT1G

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	310mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6 Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	0.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	24.5pF @ 20V
Power - Max	280mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-70, SOT-323
Корпус	SC-70-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.