Версия для печати
Технические характеристики IRLML2402TR

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.2A
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250 mOhm @ 930mA, 4.5V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	3.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	110pF @ 15V
Power - Max	540mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	Micro3™/SOT-23

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	FAIR
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	DC COMPONENTS	35 406	3.52
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	NXP
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ST MICROELECTRONICS
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	UTC
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	CHENMKO ENTERPRISE CO, LTD	119
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	FAIRCHILD	1 733
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	PHILIPS	4
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SAMSUNG
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SILICONIX	98
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ZETEX	336
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	NXP	395
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SILICON POWER	124
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	POWERSILICON INCORPORATED	122
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	GALAXY	204	1.99
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ST MICROELECTRONICS SEMI	2
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт		45 620	1.56  >100 шт.   0.78
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	FAIRCHILD
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	FSC
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	PANJIT
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	NEXPERIA
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ONS
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ONS-FAIR
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ON SEMICONDUCTOR	800	12.49
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	PHILIPS	80	12.49
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	GALAXY ME
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	NEXPERIA	108
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	LRC
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	HOTTECH	7	2.08
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	KLS	5 514	3.55
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	LGE	4	2.12
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	YJ	315 261	2.47
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	YANGJIE
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	YANGJIE (YJ)
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	DIODES
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	KOME
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	DIOTEC	56 765	2.57
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	JANGJIE
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	YOUTAI	88 517	2.80
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ASEMI
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	UMW-YOUTAI
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	CJ
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	UWM
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SUNTAN	1 109	1.64  >100 шт.   0.82
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SHIKUES
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	KUU	66 797	1.39
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	JSCJ	43 341	2.56
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SLKOR	844	1.49
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	YANGZHOU YANGJIE
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	KLS ELECTRONIC
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	MERRYELC
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	1980
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	40
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	KEEN SIDE	12 760	1.36  >100 шт.   0.68
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	INFINEON	114	39.80
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	PLINGSEMIC	384	1.34  >100 шт.   0.67
		AT25256AN-10SU-2.7		Последовательная память EEPROM (32Kx8 bit, 100K циклов, SPI compatible interface, 20 ...	ATMEL
		AT25256AN-10SU-2.7		Последовательная память EEPROM (32Kx8 bit, 100K циклов, SPI compatible interface, 20 ...			168.00
		AT25256AN-10SU-2.7		Последовательная память EEPROM (32Kx8 bit, 100K циклов, SPI compatible interface, 20 ...	ATMEL CORPORATION
		AT25256AN-10SU-2.7		Последовательная память EEPROM (32Kx8 bit, 100K циклов, SPI compatible interface, 20 ...	4-7 НЕДЕЛЬ
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP	1	11.35
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIOTEC	201 542	2.42
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DC COMPONENTS	61 558	2.87
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	GALAXY
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	MCC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	UTC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)		7 760	1.49
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIRCHILD	325
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	LI-SION TECHNOLOGY INC.
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KEC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP	4 345
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FSC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ONS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ONS-FAIR
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PANJIT	27 200
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	FAIRCHILD
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	INFINEON	800	5.47
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	GALAXY ME
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	HOTTECH	1 350 585	1.92  >100 шт.   0.96
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ARK
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	АЛЕКСАНДРОВ
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	LRC
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KLS	426	1.96  >100 шт.   0.98
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NEXPERIA	54 803	1.26
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	DIODES
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PHILIPS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGJIE (YJ)
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PANJIT
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SEMTECH	220	1.51
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	PJ	2 863	2.47
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGJIE	1 294 816	1.06  >100 шт.   0.53
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YJ	136 040	1.02
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	JSCJ	90 986	3.22
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	NXP/NEXPERIA
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	TRR	220 800	1.26  >100 шт.   0.63
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	SUNTAN	20	1.72  >100 шт.   0.86
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	JINGDAO	8 384	1.02  >500 шт.   0.34
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	TRR ELECTRONICS
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	HOTTECCN
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	CJ
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGZHOU YANGJIE
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	KEEN SIDE	52 127	1.41  >500 шт.   0.47
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	2138
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	4334
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	ASEMI
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	19480
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	22054
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	643
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	1054
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	543
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	YANGZHOUYANGJIEEL	589 516	1.01
		BAV99		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)	XXW	756 000	1.08  >100 шт.   0.54
		BZX84C5V6		Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА	VISHAY
		BZX84C5V6		Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА	NXP
		BZX84C5V6		Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА	FAIR
		BZX84C5V6		Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BZX84C5V6		Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА		20 339	1.94  >100 шт.   0.97
		BZX84C5V6		Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА	DC COMPONENTS	9 684	3.64
		BZX84C5V6		Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА	FAIRCHILD
		BZX84C5V6		Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА	FAIRCHILD	13 296
		BZX84C5V6		Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BZX84C5V6		Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА	VISHAY
		BZX84C5V6		Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА	GALAXY
		BZX84C5V6		Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА	Fairchild Semiconductor
		BZX84C5V6		Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА	КИТАЙ
		BZX84C5V6		Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА	MCC
		BZX84C5V6		Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА	NEXPERIA	35	1.17
		BZX84C5V6		Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА	DIOTEC	2 098	2.25
		BZX84C5V6		Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА	ONS
		BZX84C5V6		Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА	GALAXY ME
		BZX84C5V6		Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА	PHI
		BZX84C5V6		Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА	HOTTECH	7 959	2.07
		BZX84C5V6		Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА	KLS
		BZX84C5V6		Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА	PANJIT
		BZX84C5V6		Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА	SEMTECH
		BZX84C5V6		Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА	YJ	262 922	2.07
		BZX84C5V6		Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА	YANGJIE
		BZX84C5V6		Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА	YANGJIE (YJ)
		BZX84C5V6		Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА	NXP/NEXPERIA
		BZX84C5V6		Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА	0.00
		BZX84C5V6		Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА	1
		BZX84C5V6		Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА	JSCJ	40 248	1.02
		BZX84C5V6		Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА	SUNTAN	75	1.86  >100 шт.   0.93
		BZX84C5V6		Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА	4666
		BZX84C5V6		Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА	XXW	580	1.20  >100 шт.   0.60
		BZX84C5V6		Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА	800
		BZX84C5V6		Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА	TRR	2 384	1.72  >100 шт.   0.86
		BZX84C5V6		Стабилитрон универсальный 0.3Вт, 5.6В, 1мкА	RUME	12 000	1.32  >100 шт.   0.66
		IRLML6402TR		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6402TR		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А		388	26.04
		IRLML6402TR		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6402TR		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	INFINEON
		IRLML6402TR		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	HOTTECH	22	18.87
		IRLML6402TR		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	VBSEMI
		IRLML6402TR		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	TECH PUB
		IRLML6402TR		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	OLITECH
		IRLML6402TR		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	YOUTAI	77 932	4.93

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"