IRL520NPBF
|
|
Версия для печати
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 10A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 6A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 20nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 440pF @ 25V |
| Power - Max | 48W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
IRL520N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRL520N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET |
|
58.88 | ||
|
|
|
IRL520N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
IRL520N |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | INFINEON |
|
|
